[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列，在绝缘基板上具有多个栅极布线、多个源极布线、以及作为像素以矩阵状配置有多个的晶体管，该晶体管形成在该栅极布线及源极布线的各交点附近，栅电极与所述栅极布线连接，源电极与所述源极布线连接，漏电极与像素电极连接，其中，

多个源极布线分别与配置在规定列中的所述像素连接，

多个栅极布线的至少一部分分别具有与由规定行的连续的恒定数量的所述像素构成的像素群、与配置有与所述规定行相邻的行的所述像素群的列相邻地连续的列的像素群连接的部分，

所述像素配置成M列×N行，

i个所述源极布线上连接有共用的源极信号，在所述共用的源极信号所连接的所述像素上连接有不同的所述栅极布线，由此，需要的所述源极信号的数量为M/i，需要的栅极信号的数量为N×i，

其中，i为2以上的整数，

该薄膜晶体管阵列还具有：半导体图案，形成在所述源电极与所述漏电极之间；以及绝缘膜，至少覆盖所述半导体图案、所述源电极以及所述源极布线，在所述像素电极上具有开口，

所述半导体图案为与所述源极布线平行的条纹状，由在相同列中排列的多个所述像素共用。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，

将所述恒定数量设为k时，k为1以上且M/(i×N)以下。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列，其中，

所述像素的配置为等间距。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，

还具有：

上部像素电极，经由所述开口而与所述像素电极连接。

5.一种薄膜晶体管阵列的制造方法，其中，

至少包括：

在绝缘基板上形成栅电极、与所述栅电极连接的栅极布线、电容器电极、与所述电容器电极连接的电容器布线的工序；

在所述绝缘基板、所述栅电极、所述栅极布线、所述电容器电极、所述电容器布线之上形成栅极绝缘膜的工序；

在所述栅极绝缘膜之上形成源电极、与所述源电极连接的源极布线、漏电极、与所述漏电极连接的像素电极的工序；

在所述源电极与所述漏电极之间形成半导体图案的工序；以及

形成至少覆盖所述半导体图案、所述源电极以及所述源极布线且在所述像素电极上具有开口的绝缘膜的工序；

形成所述栅电极、与所述栅电极连接的栅极布线、电容器电极、与所述电容器电极连接的电容器布线的工序包括：形成为包含使所述栅极布线及所述电容器布线的至少一部分按照每恒定像素数分别错开1行的部分的形状的工序，

形成所述源电极、与所述源电极连接的源极布线、漏电极、与所述漏电极连接的像素电极的工序包括以使所述源极布线沿着列方向排列的方式印刷电极用油墨的工序，

在绝缘基板上形成多个栅极布线、多个源极布线、以及作为像素以矩阵状配置有多个的晶体管，该晶体管形成在该栅极布线及源极布线的各交点附近，

多个源极布线分别与配置在规定列中的所述像素连接，

多个栅极布线的至少一部分分别具有与由规定行的连续的恒定数量的所述像素构成的像素群、与配置有与所述规定行相邻的行的所述像素群的列相邻地连续的列的像素群连接的部分，

将所述像素配置成M列×N行，

i个所述源极布线上连接有共用的源极信号，在所述共用的源极信号所连接的所述像素上连接有不同的所述栅极布线，由此，将需要的所述源极信号的数量设为M/i，将需要的栅极信号的数量设为N×i，

其中，i为2以上的整数，

形成所述半导体图案的工序包括将半导体用油墨以与所述源极布线平行的条纹状进行印刷的工序。