[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法

说明书

本发明提供能够使源极布线及栅极布线的一方的信号数设为少于一半的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列在绝缘基板上配置有多个栅极布线、多个源极布线以及作为像素以矩阵状配置有多个的晶体管，该晶体管形成在该栅极布线及源极布线的各交点附近，栅电极与所述栅极布线连接，源电极与所述源极布线连接，漏电极与像素电极连接，其中，多个源极布线分别与配置在规定列中的所述像素连接，多个栅极布线的至少一部分分别具有与由规定行的连续的恒定数量的所述像素构成的像素群、与配置有与所述规定行相邻的行的所述像素群的列相邻地连续的列的像素群连接的部分。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管阵列及其制造方法。

背景技术

以将半导体本身作为基板的晶体管或集成电路技术为基础，在玻璃基板上制造非晶硅(a－Si)或多晶硅(poly－Si)的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)，应用于液晶显示器等中。TFT发挥开关的作用，在通过向栅极布线提供的选择电压而使TFT导通了时，将向源极布线提供的信号电压写入与漏电极连接的像素电极。所写入的电压被保持于由像素电极/栅极绝缘膜/电容器电极构成的蓄积电容器。(在TFT阵列的情况下，源极和漏极的作用根据写入的电压的极性而变化，因此，动作中名称不被决定。于是，方便起见，而将一方称作源极，将另一方称作漏极，这样来统一称呼。本发明中，将与布线连接的那方称作源极，将与像素电极连接的那方称作漏极)。其中，在此，电容器电极不是必须的，也能够将显示介质(在此为液晶)的电容作为蓄积电容器而使用。

近年来，有机半导体及氧化物半导体登场，示出了能够在200℃以下的低温制成TFT的特性，对使用了塑料基板的挠性显示器的期待高涨。除了挠性这样的优点之外，还可以期待可实现轻型、不易损坏、薄型化的优点。此外，通过印刷来形成TFT，由此能够期待以低价实现大面积的显示器。

然而，在显示器的纵横的像素数较大地不同的情况下，源极驱动器或者栅极驱动器的一方被大量地需要，另一方仅被使用于少数的输出，存在导致成本增加的问题。一般而言，将纵布线和横布线之中较多的那方设为源极布线，因此，源极驱动器被大量地需要，栅极驱动器仅被使用于少数的输出。例如在像素数为1200×100的情况下，若设为想要使用输出数为400的源极驱动器和输出数为300的栅极驱动器，则需要3个源极驱动器、1个栅极驱动器。

作为解决这样的问题的方法，对2个源极布线连接共用的源极信号，对连接有共用的源极信号的晶体管连接不同的栅极布线，由此，能够使需要的源极信号的数量成为一半，使需要的栅极信号的数量成为2倍(专利文献1)。但是，在专利文献1中，栅极布线间距成为像素间距的一半，需要在1像素内穿过2根栅极布线。

作为消除上述问题的方法，有从显示部的对置的两边连接栅极布线的方法(图8)。但是，图8中，示出了栅极布线以及源极布线，省略了存在于交点处的晶体管以及像素电极的图示。将栅极布线，在像素部的左半部从左开始进行布线，在右半部从右开始进行布线，因此，无需在1像素中穿过2根栅极布线，只要在1像素中穿过1根栅极布线即可。

但是，这些方法中，仅仅是使源极信号数成为一半而已，无法进一步减少。例如在像素数为1200×100的情况下，若想要使用输出数为400的源极驱动器和输出数为300的栅极驱动器，则需要有2个源极驱动器、1个栅极驱动器。

这样，在纵横的像素数较大地不同的情况下，很难高效地组合使用源极驱动器以及栅极驱动器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:特开平4－360127公报。

发明内容

发明要解决的课题

本发明鉴于该现有技术的状况而做出，课题在于提供一种将源极布线以及栅极布线的一方的需要信号数设为比一半小的薄膜晶体管阵列。此外，课题在于提供一种适于该薄膜晶体管阵列的制造方法。