[发明专利]碳化硅基板有效
| 申请号： | 201680053607.3 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN108026662B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 上田俊策;冲田恭子;原田真 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅基板，其包含碳侧主面和硅侧主面，
其中所述碳化硅基板具有4H晶体结构并且含有氮，
其中所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上，
其中所述碳侧主面和所述硅侧主面的相对于{0001}面的偏角为4°以下，并且
其中所述碳侧主面中的氮浓度高于所述硅侧主面中的氮浓度，并且所述碳侧主面的拉曼峰位移与所述硅侧主面的拉曼峰位移之差为0.2cm-1以下以使得所述碳侧主面中的压缩应力和所述硅侧主面中的拉伸应力降低。
2.根据权利要求1所述的碳化硅基板，其中，
所述碳侧主面中的氮浓度比所述硅侧主面中的氮浓度高1×1016cm-3以上。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅基板，其中，
所述碳侧主面中的氮浓度与所述硅侧主面中的氮浓度之差为1×1017cm-3以下。
4.根据权利要求1或2所述的碳化硅基板，其中，
所述氮浓度随着在厚度方向上距所述碳侧主面的距离的减小而增加。
5.根据权利要求1或2所述的碳化硅基板，其中，
所述直径为150mm以上。
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