[发明专利]碳化硅基板

说明书

碳化硅基板包含碳面侧主面和硅面侧主面。所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上。所述碳面侧主面和所述硅面侧主面相对于{0001}面的偏角为4°以下。所述碳面侧主面中的氮浓度高于所述硅面侧主面中的氮浓度，并且所述碳面侧主面与所述硅面侧主面之间的拉曼峰位移之差为0.2cm^‑1以下。

技术领域

本发明涉及碳化硅基板。

本申请基于并要求2015年10月15日提交的日本专利申请第2015-203995号的优先权，并通过引用的方式将其全部内容并入本文中。

背景技术

专利文献1和专利文献2公开了通过将原料粉末和晶种配置在坩埚中并且通过感应加热来加热所述坩埚，使所述原料粉末升华并在所述晶种上再结晶的方法。

专利文献1：日本特开平9-48688号公报

专利文献2：日本特开2013-35705号公报

发明内容

本公开的半导体基板是碳化硅基板，并且包含碳侧主面和硅侧主面。所述碳化硅基板具有4H晶体结构并且含有氮。碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上。所述碳侧主面和所述硅侧主面的相对于{0001}面的偏角为4°以下。而且，所述碳侧主面中的氮浓度高于所述硅侧主面中的氮浓度，并且所述碳侧主面的拉曼峰位移与所述硅侧主面的拉曼峰位移之差为0.2cm^-1以下。

附图说明

图1是示出碳化硅基板的结构的一个实例的示意性剖视图；

图2是示出碳化硅基板的结构的一个实例的示意性平面图；

图3是示出用于制造碳化硅基板的示意性方法的流程图；

图4是说明碳化硅基板的制造方法的示意性剖视图；且

图5是示出碳化硅基板的制造方法的示意性剖视图。

具体实施方式

[本发明的实施方式的说明]

首先，下文列出并说明本发明的实施方式。本申请的半导体基板是碳化硅基板，其包含碳面侧主面和硅面侧主面，并且具有4H晶体结构。所述碳面侧主面和所述硅面侧主面的相对于{0001}面的偏角为4°以下。直径为100mm以上。厚度为300μm以上。而且，所述碳面侧主面中的氮浓度高于所述硅面侧主面中的氮浓度，并且所述碳面侧主面中的拉曼峰位移与所述硅面侧主面中的拉曼峰位移之差为0.2cm^-1以下。

在碳化硅基板中，有时会发生翘曲。碳化硅基板的翘曲在使用碳化硅基板制造半导体装置的过程中引起各种问题。更具体地，当在光刻工艺中通过吸附固定基板时，例如，翘曲会引起吸附失效。本发明人研究了原因及其对策，并获得以下发现。

所述碳化硅基板例如可以通过对利用升华技术获得的单晶碳化硅进行切割来制造。在升华技术中，单晶碳化硅在生长方向上存在温度梯度的条件下生长。更具体地，在通过升华技术生长的单晶碳化硅中，在后生长区域中的生长温度高于在前生长区域中的生长温度。因此，在后生长区域中的晶格常数大于在前生长区域中的晶格常数。而且，在利用升华法的4H结构的碳化硅的生长中，经常将碳面作为生长面。