[发明专利]用于编程非易失性存储器的智能验证有效
申请号: | 201680053927.9 | 申请日: | 2016-09-13 |
公开(公告)号: | CN108028069B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | M.邓加;G.J.赫明克;Z.周;东谷政昭 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 编程 非易失性存储器 智能 验证 | ||
1.一种非易失性储存器装置,包括:
多个非易失性储存元件(MCI、MC2……);
控制电路(110、122、124、128、132),其与所述非易失性储存元件通信,其中所述控制电路配置为:
接收命令以编程所述多个非易失性储存元件的组;
在所述组的子集被使能编程并且所述组的剩余的成员被禁止编程时,通过将编程信号施加到所述组来表征所述组的编程速度;
基于所述编程速度,确定虚拟编程脉冲的幅度;
在所述组的剩余的成员中所选择的成员被使能编程时并且在所述子集被禁止编程时,将所述虚拟编程脉冲施加到所述组;以及
在所述虚拟编程脉冲被施加到所述组之后,编程非易失性储存元件的所述组。
2.如权利要求1所述的非易失性储存器装置,其中所述控制电路配置为表征所述组的编程速度,还包括,所述控制电路配置为:
在施加所述编程信号之后,感测所述子集中的所述非易失性储存元件,同时锁定感测所述组的剩余的成员。
3.如权利要求1所述的非易失性储存器装置,其中,在所述控制电路将所述一个或多个虚拟编程脉冲施加到所述组时,被使能编程的所述组的剩余的成员中的所选择的成员要被编程到阈值电压,所述阈值电压超过所述组的一个或多个其他的成员的目标阈值电压。
4.如权利要求1所述的非易失性储存器装置,其中所述控制电路配置为,响应于施加所述一个或多个虚拟编程脉冲而不验证所述非易失性储存元件。
5.如权利要求1所述的非易失性储存器装置,其中,在所述控制电路将所述一个或多个虚拟编程脉冲施加到所述组时,被使能编程的所述组的剩余的成员中的所选择的成员要被从擦除状态编程到中间状态。
6.如权利要求1所述的非易失性储存器装置,其中,在所述控制电路将所述一个或多个虚拟编程脉冲施加到所述组时,被使能编程的所述组的剩余的成员中的所选择的成员要被从擦除状态编程到多个数据状态中的任何一个。
7.如权利要求1所述的非易失性储存器装置,还包括包含多个字线层的三维存储器阵列,其中非易失性储存元件的所述组存在于相同的字线层。
8.如权利要求7所述的非易失性储存器装置,其中所述组中的非易失性储存元件与局部互连体的距离不同,其中基于距所述局部互连体的距离而选择所述子集以表征所述组的编程速度。
9.一种操作非易失性储存器的方法,所述方法包括:
接收命令以编程非易失性储存元件的组(502);
使能编程非易失性储存元件的所述组的子集,并且禁止编程所述组中的剩余的非易失性储存元件(504);
对非易失性储存元件的所述子集进行智能验证(504);
基于所述智能验证,确定虚拟编程脉冲的幅度(506);
使能编程未进行所述智能验证的所述组中的所选择的非易失性储存元件(508);
锁定编程进行所述智能验证的所述组中的所选择的非易失性储存元件(510);
在使能编程未进行所述智能验证的所述组中的所选择的非易失性储存元件时,并且在锁定编程进行了所述智能验证的所述组中的所选择的非易失性储存元件时,将所述虚拟编程脉冲施加到非易失性储存元件的所述组(512);以及
在所述虚拟编程脉冲被施加之后,编程非易失性储存元件的所述组(514)。
10.如权利要求9所述的方法,其中对非易失性储存元件的所述子集进行智能验证包括:
锁定编程所述组中所述子集以外的所有非易失性储存元件;
使能编程所述子集中的要被从擦除状态编程到数据状态的非易失性储存元件;
将编程信号施加到非易失性储存元件的所述组的控制栅极;并且
感测所述子集中的所述非易失性储存元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司,未经桑迪士克科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680053927.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于脉管表征的装置
- 下一篇:用于创建结构化数据语言查询的方法