[发明专利]具有可调电压和端接的存储器接口以及使用方法有效
申请号: | 201680055256.X | 申请日: | 2016-09-09 |
公开(公告)号: | CN108139991B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | M·布鲁诺利;S·希勒纽斯;P·伊萨卡尼安;V·斯里尼瓦斯 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F13/42;G06F1/3209;G06F1/3234;G06F1/3287;G06F1/3296;H04L25/02;G06F13/40 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;庞淑敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 可调 电压 端接 存储器 接口 以及 使用方法 | ||
1.一种存储器接口系统,包括:
发射存储器接口,所述发射存储器接口被配置为通过传输线与接收存储器接口通信,所述发射存储器接口具有:
上拉器件;
下拉器件,其中所述上拉器件耦合在电力轨与传输线之间,并且其中所述下拉器件耦合在所述传输线与地之间;以及
电源,所述电源被配置为在端接数据传输模式期间向所述电力轨供应第一电源电压,在所述端接数据传输模式中,耦合到所述传输线的接收存储器接口具有有效的对地片内端接,其中所述有效的对地片内端接通过所述传输线耦合到所述发射存储器接口,并且其中所述有效的对地片内端接位于所述接收存储器接口处,并且其中所述电源还被配置为在未端接数据传输模式期间向所述电力轨供应第二电源电压,在所述未端接数据传输模式中,所述片内端接并未加载所述传输线,所述第二电源电压小于所述第一电源电压。
2.根据权利要求1所述的存储器接口系统,其中所述发射存储器接口包括动态随机存取存储器(DRAM)接口。
3.根据权利要求2所述的存储器接口系统,其中所述DRAM接口包括低功率第四代双倍数据速率(LPDDR4)DRAM接口。
4.根据权利要求1所述的存储器接口系统,其中所述电源包括线性压降电压调节器和开关模式电源中的至少一项。
5.根据权利要求1所述的存储器接口系统,其中所述上拉器件和所述下拉器件包括N型场效应晶体管(NFET)。
6.根据权利要求1所述的存储器接口系统,其中所述片内端接与所述传输线的特性阻抗匹配。
7.根据权利要求1所述的存储器接口系统,其中所述接收存储器接口包括在片上系统(SoC)中。
8.根据权利要求1所述的存储器接口系统,还包括控制电路,所述控制电路被配置为向所述电源提供控制信号,以引起所述电源供应所述第一电源电压或所述第二电源电压。
9.根据权利要求1所述的存储器接口系统,其中在端接数据传输模式和所述未端接数据传输模式两者中,在所述接收存储器接口处的单端传输线的电压摆动相同。
10.一种用于传输数据信号的方法,包括:
在与传输信道和接收数据接口通信的发射数据接口处发射数据信号,所述接收数据接口具有对地片内端接电阻,所述对地片内端接电阻被配置为针对第一数据传输模式被接通并且针对第二数据传输模式被关断,其中所述对地片内端接电阻通过所述传输信道耦合到所述发射数据接口,并且其中所述对地片内端接电阻位于所述接收数据接口处;
从所述第一数据传输模式改变到所述第二数据传输模式,包括改变传输所述数据信号的速度;以及
响应于从所述第一数据传输模式改变到所述第二数据传输模式,降低所述发射数据接口的工作电压。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括:
向所述发射数据接口的电源提供控制信号,以调节所述工作电压。
12.根据权利要求10所述的方法,其中改变传输所述数据信号的速度包括:
降低传输所述数据信号的速度。
13.根据权利要求10所述的方法,还包括:
在所述接收数据接口处,使用锁存接收器捕获所述数据信号的比特。
14.根据权利要求10所述的方法,其中所述发射数据接口包括低功率第四代双倍数据速率(LPDDR4)动态随机存取存储器(DRAM)接口。
15.根据权利要求10所述的方法,其中在第一数据传输模式和所述第二数据传输模式两者中,在所述接收数据接口处的单端传输线的电压摆动相同。
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