[发明专利]用于利用暴露于UV-辐射的含水液体介质处理衬底的方法

权利要求书

1.一种用于处理衬底的方法，所述衬底为具有暴露的钌层的EUV掩模，所述方法包括：

使含水液体介质流动通过流动通道和至少一个出口狭缝到待处理的衬底上；

至少在所述流动通道的紧邻所述至少一个出口狭缝的一部分中以及在所述含水液体介质已经朝着所述衬底流动通过所述至少一个出口狭缝之后且因此在将所述含水液体介质施加至待处理的所述衬底的表面之前和在将所述含水液体介质施加至待处理的所述衬底的表面的时候，使所述含水液体介质暴露于特定波长的UV辐射；

在将所述含水液体介质暴露于所述UV辐射之前或在将所述含水液体介质暴露于所述UV辐射的时候，通过将添加剂添加至所述含水液体介质，将所述含水液体介质的电导率调整为在20至2000 μS的范围中，所述含水液体介质在添加所述添加剂之前具有低于20 μS的电导率，

以及还包括：在将所述含水液体介质暴露于所述UV辐射之前或在将所述含水液体介质暴露于所述UV辐射的时候，通过将所述添加剂添加至所述含水液体介质，将所述含水液体介质的pH改变至8至11的范围，所述含水液体介质在添加所述添加剂之前具有在6至8的范围中的pH，所述添加剂包括碱。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述添加剂基本上不改变所述含水液体介质的pH。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含水液体介质被调整为具有在20至500 μS的范围中的电导率。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含水液体介质被调整为具有在9.5至10.5的范围中的pH值和在70至150 μS的范围中的电导率。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碱是TMAH。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碱是非配位复合物，其没有能够与在所述衬底的所述表面上的金属建立直接结合的可用外部电子。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含水液体介质是对于在所述特定波长处的UV辐射大体是非吸收介质的含水液体介质和5至100 ppm的在所述特定波长处的基本上吸收介质的混合物。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述基本上吸收介质是用于调整所述电导率的添加剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括EUV掩模的最终清洁，其在光致抗蚀剂去除之后。

10.根据权利要求1所述的方法，其包括调整所述含水液体介质在离开所述至少一个出口狭缝之前在所述流动通道中暴露于所述UV辐射的时间的步骤。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述含水液体介质在离开所述至少一个出口狭缝之前在所述流动通道内暴露于所述UV辐射的时间量来调整所述电导率。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述含水液体介质在离开所述至少一个出口狭缝之前在所述流动通道内暴露于所述UV辐射的时间量来调整所述pH。

13.根据权利要求1所述的方法，其还包括如下步骤：

使所述含水液体介质暴露于特定其他波长的UV辐射，所述特定其他波长与在该步骤之前，在马上将所述含水液体介质的膜施加至待处理的所述衬底的表面之前和在将所述含水液体介质的膜施加至待处理的所述衬底的表面的时候使所述含水液体介质暴露于特定波长的UV辐射的步骤中使用的波长不同。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，在马上将所述含水液体介质的膜施加至待处理的所述衬底的表面之前和在将所述含水液体介质的膜施加至待处理的所述衬底的表面的时候使所述含水液体介质暴露于特定波长的UV辐射的步骤中，所述特定波长在200至300nm的范围中。