[发明专利]用于利用暴露于UV-辐射的含水液体介质处理衬底的方法

说明书

描述了用于处理衬底的方法。方法包括如下步骤：使含水液体介质流动通过流动通道和至少一个出口狭缝到待处理的衬底上，以及至少在流动通道的紧邻至少一个出口狭缝的一部分中以及在所述含水液体介质已经朝着衬底流动通过出口开口之后且因此在将含水液体介质施加至待处理的衬底的表面之前和在将含水液体介质施加至待处理的衬底的表面的时候，使所述含水液体介质暴露于特定波长的UV‑辐射。在一个方法中，在将含水液体介质暴露于UV‑辐射的时候或之前，通过将添加剂添加至含水液体介质，将含水液体介质的电导率调整至在20至2000μS的范围中，含水液体介质在添加所述添加剂之前具有低于20μS的电导率。额外地，在将含水液体介质暴露于UV‑辐射的时候或者之前，含水液体介质的pH可以被调整到8至11或3至6的范围。调整可以导致通过UV‑辐射在含水液体介质中生成的反应物质的平衡朝优选的物质移动。

技术领域

本发明涉及用于利用暴露于UV-辐射的含水液体介质处理衬底的方法。

背景技术

在制造半导体的领域中，在通常称为晶片的半导体衬底上执行若干处理步骤。这些步骤中的一个包括光刻法，在其中，光掩模用于使晶片上的光致抗蚀剂暴露于强光模式。暴露于光导致化学改变，其根据模式允许通过专门的溶液来移除一些光致抗蚀剂。

在制造半导体的领域中且尤其是在光刻法中，重要的是，所有部件（诸如例如晶片和光掩模）非常干净，且优选地在其上不具有外来颗粒。在其中表面准备和/或尤其是诸如抗蚀剂的有机污染物的污染物的移除是重要的其他技术中也存在此类要求，且因此，即使具体参考衬底诸如在光刻法中使用的光掩模，本发明也适用于其他衬底，诸如半导体衬底、晶片、压印模板、面板、尤其是平板衬底和多层陶瓷衬底。

尽管本申请将主要集中于光掩模的处理（光掩模作为衬底以对其执行处理），本文中所述的原理也可转移至晶片本身或其他衬底，如上文中指出的。

在过去，已经使用不同方法来从光掩模移除光致抗蚀剂。如在转让给本发明的受让人的DE 10 2009 058 962 A1中描述的一个此类方法使用含水介质，在马上将所述含水液体介质的膜施加至待处理的衬底的表面之前以及在将所述含水液体介质的膜施加至待处理的衬底的表面的时候，使所述含水介质暴露于UV-辐射。

这种移除过程可以分成若干单独的步骤，诸如表面准备、去除和最终清洁。在表面准备中，可以调整表面能量，以例如实现亲水表面。在去除中，通过在含水液体介质中生成的自由基来移除光致抗蚀剂的主要部分。在最终清洁中，残余的抗蚀剂和其他颗粒被移除。在最终清洁中，必须小心谨慎以不改变诸如蚀刻衬底本身的表面，但是移除颗粒而不改变衬底的表面。应当注意，取决于处理的类型和例如初始表面状况，并非必须使用上述顺序的所有步骤。例如，表面准备不总是必需的，尤其如果当进入过程时表面是充分亲水的时。而且，在其上不具有抗蚀剂的新的掩模或者从存储空间出来的掩模（其之前已经被去除）将不需要去除，而是仅需要最终清洁（可选地之前有表面准备）。取决于应用，仅去除（可选地之前有表面准备）是必需的。

在DE 10 2009 058 962 A1中的公开内容已经指示了这些步骤且描述了具有改变的介质和/或辐射的单个工具，其可用于所有步骤。然而，该公开未给出关于在单独的步骤中使用的含水液体介质的组成的具体细节。

本发明的发明人现在已经发现，在具体步骤中使用的介质的特定参数可以有益于相应的过程。

发明内容

根据本发明，实施例尤其在具体实施方式中公开。