[发明专利]碳化硅基板

权利要求书

1.一种碳化硅基板，其多数载流子密度为1×10¹⁷cm^-3以上，其中，

在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中，通过μ-PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下，

所述少数载流子寿命的标准偏差是通过在中心区域内以恒定间隔2mm排列的测量点处测量少数载流子寿命，并对在测量点处测得的少数载流子寿命进行统计处理以计算标准偏差而得到的，其中所述中心区域为在主表面中除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的外周区域之外的区域，

所述少数载流子寿命的平均值为1μs以下，且

所述多数载流子为n型载流子。

2.根据权利要求1所述的碳化硅基板，其中，

所述标准偏差为0.4ns以下。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅基板，其直径为100mm以上。

4.根据权利要求1或2所述的碳化硅基板，其直径为150mm以上。

5.根据权利要求1或2所述的碳化硅基板，其中，

所述少数载流子寿命的平均值为100ns以下。

6.根据权利要求3所述的碳化硅基板，其中，

所述少数载流子寿命的平均值为100ns以下。

7.根据权利要求4所述的碳化硅基板，其中，

所述少数载流子寿命的平均值为100ns以下。

8.根据权利要求1或2所述的碳化硅基板，其中，

所述少数载流子寿命的平均值为50ns以下。

9.根据权利要求3所述的碳化硅基板，其中，

所述少数载流子寿命的平均值为50ns以下。

10.根据权利要求4所述的碳化硅基板，其中，

所述少数载流子寿命的平均值为50ns以下。

11.根据权利要求1、2、6、7、9或10所述的碳化硅基板，其不包含碳夹杂物。

12.根据权利要求3所述的碳化硅基板，其不包含碳夹杂物。

13.根据权利要求4所述的碳化硅基板，其不包含碳夹杂物。

14.根据权利要求5所述的碳化硅基板，其不包含碳夹杂物。

15.根据权利要求8所述的碳化硅基板，其不包含碳夹杂物。