[发明专利]碳化硅基板

说明书

本发明涉及一种碳化硅基板，其多数载流子密度为1×10¹⁷cm^‑3以上，使得在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中，通过μ‑PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。

技术领域

本发明涉及一种碳化硅基板。

本申请要求基于2015年10月27日提交的日本申请2015-210672号的优先权，并通过引用的方式将其全部内容并入本文中。

背景技术

已经开发了进行热等静压的技术以减少在碳化硅基板制造中的缺陷和变形(例如参见专利文献1)。据认为如果能够减少碳化硅基板中的缺陷和变形，则会提高半导体装置的制造中的成品率。专利文献1还公开了，通过μ-PCD(微波光导率衰减)测量的在径向方向上的载流子寿命的差异的减小能够表明在碳化硅基板的变形方面的改善。

现有技术文献

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2009-256159号公报

发明内容

本文中公开的实施方案的碳化硅基板为其多数载流子密度为1×10¹⁷cm^-3以上的碳化硅基板。在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中，通过μ-PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。

附图说明

图1是显示基板的结构的示意性剖视图。

图2是用于说明通过μ-PCD进行分析的方法的示意性平面图。

图3是显示制造碳化硅基板的示意性方法的流程图。

图4是用于说明制造碳化硅基板的方法的示意性剖视图。

图5是用于说明制造碳化硅基板的方法的示意性剖视图。

具体实施方式

在使用比硅基板更昂贵的碳化硅基板制造半导体装置时，成品率的提高是至关重要的。因此，本发明的目的之一是提供在制造半导体装置时能够提高成品率的碳化硅基板。

[实施方案的说明]

首先列出并说明本申请中公开的技术的实施方案。本申请的碳化硅基板是其多数载流子密度为1×10¹⁷cm^-3以上的碳化硅基板。在这样的碳化硅基板中，在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中，通过μ-PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。

本发明人已经对在使用多数载流子密度为1×10¹⁷cm^-3以上的碳化硅基板制造半导体装置时提高成品率的措施进行了研究，所述碳化硅基板可用于制造诸如SBD(肖特基(Schottky)势垒二极管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体装置。结果发现，减小通过μ-PCD分析得到的基板主表面中的少数载流子寿命的标准偏差能够减小半导体装置的导通电阻的变动。更具体地，通过在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中将少数载流子寿命的标准偏差保持在0.7ns以下，可有效地减小半导体装置的导通电阻的变动。

在本申请的碳化硅基板中，在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中，通过μ-PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。这样的配置能够有效地减小通过使用所述碳化硅基板制造的半导体装置的导通电阻的变动。结果，本申请的碳化硅基板能够提高制造半导体装置的成品率。

在上述碳化硅基板中，标准偏差可以为0.4ns以下。这样的配置可以进一步提高制造半导体装置的成品率。