[发明专利]电子器件封装用带

说明书

本发明提供一种电子器件封装用带，其能够抑制在对粘接剂层进行预固化时半导体、粘接剂层及半导体芯片的层叠体发生翘曲，并且能够抑制在倒装片连接时粘接剂层产生空隙。本发明的电子器件封装用带，其特征在于，具有：具有基材膜和粘合剂层的粘合带、层叠地设置于粘合剂层的与基材膜相反的一侧的金属层、以及设置于金属层的与粘合剂层相反的一侧且用于将金属层粘接于电子器件的背面的粘接剂层，粘接剂层在100℃加热3小时后的25℃下的储能模量为10GPa以下，在100℃加热3小时时的固化率为10～100％。

技术领域

本发明涉及一种电子器件封装用带，尤其涉及具有金属层的电子器件封装用带。

背景技术

近年来，移动电话、笔记本PC等电子设备被要求进一步的薄型化和小型化。为此，为了将搭载于电子设备的半导体封装体等电子器件封装体薄型化和小型化，而使电子器件和电路基板的电极数增加，并且使间距也变窄。此种电子器件封装体包括例如倒装片(FC；Flip Chip)安装封装体。

在倒装片安装封装体中，由于如上述那样使电极的数量增加或窄间距化，因此发热量的增加成为问题。为此，作为倒装片安装封装体的散热结构，提出在电子器件的背面介由粘接剂层设置金属层的方案(例如参照专利文献1)。

另外，在倒装片安装封装体中，有时电子器件的线膨胀率与电路基板的线膨胀率大不相同。在该情况下，在电子器件封装体的制造过程中，在中间制品被加热及冷却时，在电子器件与电路基板之间膨胀量及收缩量产生差异。因该差异而使电子器件封装体发生翘曲。作为抑制此种翘曲的结构，也提出在电子器件的背面介由粘接剂层设置金属层的方案(例如参照专利文献2)。

进而，在倒装片安装封装体中，还提出在电子器件的背面介由粘接剂层而设置金属层、并使用该金属层作为激光掩摸用保护层的方案(例如参照专利文献3)。另外，在专利文献3中还公开了在将粘合剂层层叠于基材上而成的粘合带的粘合剂层上设有金属层及粘接剂层的倒装片型半导体背面用膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007－235022号公报

专利文献2：日本专利第5487847号公报

专利文献3：日本专利第5419226号公报

发明内容

发明要解决的课题

在使用如专利文献3所记载那样的粘合带一体型的倒装片型半导体背面用膜的情况下，将半导体晶片的背面贴合到粘接剂层上，并将半导体晶片切割而单片化成芯片状，将单片化后的半导体芯片以在背面附着有粘接剂层及金属层的状态从粘合带拾取，并使其通过倒装片连接于基板。具体而言，通过使半导体芯片的形成在半导体芯片的电路面侧的凸点与被粘附于基板的连接焊盘的接合用焊料等导电材料接触，并且边对其按压，边使凸点及导电材料熔融，由此确保半导体芯片与基板的电导通，使半导体芯片固定于被粘物。

在使凸点及导电材料熔融时，若粘接剂层在高温下被不断地加热，则存在因粘接剂层中所含的水分和挥发成分的突沸而使粘接剂层产生空隙的问题。为了抑制该空隙的产生，考虑在倒装片连接前预先在不发生粘接剂层中所含的水分和挥发成分的突沸的温度下以金属层、粘接剂层及半导体芯片的层叠体的状态对粘接剂层进行预固化。

然而，若进行粘接剂层的预固化，则存在如下问题：由于此时的热，基于半导体芯片与金属层的线膨胀系数的差而使金属层、粘接剂层及半导体芯片的层叠体发生翘曲，导致无法顺利地连接半导体芯片的凸点和基板侧的导电材料。

为此，本发明的课题在于提供一种电子器件封装用带，其能够抑制在对粘接剂层进行预固化时半导体、粘接剂层及半导体芯片的层叠体发生翘曲，并且能够抑制在倒装片连接时粘接剂层产生空隙。

用于解决课题的手段