[发明专利]研磨用组合物有效
| 申请号： | 201680057157.5 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN108140569B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 佐藤刚树;吉崎幸信;大西正悟 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/321;B24B37/04;C09G1/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨用组合物 磨粒 研磨对象物 分散介质 研磨 表面修饰 分散剂 离子性 修饰 | ||
1.一种研磨用组合物的制造方法，所述研磨用组合物用于对研磨对象物进行研磨，
所述制造方法具有将在磨粒的表面直接修饰有离子性分散剂的表面修饰磨粒和分散介质混合的工序，
所述表面修饰磨粒通过具有如下工序来制作：
第1工序，准备包含所述磨粒的磨粒分散液；
第2工序，将所述磨粒分散液调整至pH7～9，制作调整完pH的分散液；
第3工序，将所述调整完pH的分散液和所述离子性分散剂混合。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第3工序以10～60℃在搅拌下进行。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述研磨用组合物包含：在磨粒的表面直接修饰有离子性分散剂的表面修饰磨粒、和分散介质，在所述分散介质中，所述磨粒的聚集被抑制。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述离子性分散剂为聚乙烯醇或其衍生物。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述聚乙烯醇或其衍生物为阳离子改性聚乙烯醇或其衍生物。
6.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述研磨对象物为具有硅-氧键的研磨对象物、具有硅-硅键的研磨对象物或具有硅-氮键的研磨对象物。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述研磨对象物为具有硅-氧键的研磨对象物。
8.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述研磨用组合物还包含pH调节剂。
9.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述研磨用组合物的pH为2～5。
10.一种研磨方法，其中，通过权利要求1～9中任一项所述的制造方法得到研磨用组合物，使用该研磨用组合物对研磨对象物进行研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
