[发明专利]研磨用组合物

说明书

本发明的目的在于，提供能以更高速度对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物。提供一种研磨用组合物，所述研磨用组合物用于对研磨对象物进行研磨，该研磨用组合物包含：在磨粒的表面直接修饰有离子性分散剂的表面修饰磨粒、和分散介质，在前述分散介质中，前述磨粒的聚集被抑制。

技术领域

本发明涉及研磨用组合物。

背景技术

近年来，随着LSI(大规模集成，Large Scale Integration)的高集成化、高性能化，开发了新的微细加工技术。化学机械研磨(chemical mechanical polishing；CMP)法也是其中之一，是在LSI制造工序、尤其是多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化、金属插塞形成、埋入布线(镶嵌布线)形成中频繁利用的技术。

该CMP被应用于半导体制造的各工序中，作为其一个方式，例如可列举出在晶体管制作的栅极形成工序中的应用。在制作晶体管时，有时对金属、硅、氧化硅、多晶硅(Polysilicon)、硅氮化物(氮化硅)这样的材料进行研磨，为了提高生产率，有以高速研磨各材料的要求。

为了应对这样的要求，有对研磨用组合物中所含的磨粒加以改良的技术(专利文献1)。专利文献1中公开的研磨用组合物中所含的磨粒为固定化有磺酸、羧酸之类的有机酸的胶体二氧化硅。公开了通过使研磨用组合物中含有这样的磨粒，能以高速研磨该文献中公开的研磨对象物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-40671号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1中确实公开了与使用未固定化有有机酸的通常的胶体二氧化硅的研磨用组合物相比，能够以高速对研磨对象物进行研磨。

但是，根据情况，也有想要以更高速度进行研磨的要求，从应对该要求的观点出发，专利文献1中存在改良的余地。

因此，本发明的目的在于，提供能以更高速度对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述问题而反复深入研究。结果发现，利用如下的研磨用组合物，能够解决上述问题，所述研磨用组合物用于对研磨对象物进行研磨，该研磨用组合物包含：在磨粒的表面直接修饰有离子性分散剂的表面修饰磨粒、和分散介质，在前述分散介质中，前述磨粒的聚集被抑制。

发明的效果

根据本发明，能够提供能以更高速度对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物。

具体实施方式

以下，对本发明进行说明。需要说明的是，本发明不仅限定于以下的实施方式。另外，本说明书中，表示范围的“X～Y”是指“X以上且Y以下”。另外，只要没有特别说明，则操作及物性等测定在室温(20～25℃)/相对湿度40～50％RH的条件下进行测定。

本发明为用于对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物，所述研磨用组合物包含：在磨粒的表面直接修饰有离子性分散剂的表面修饰磨粒、和分散介质，在前述分散介质中，前述磨粒的聚集被抑制。

根据所述构成，与使用了未固定化有有机酸的通常的胶体二氧化硅的构成相比，当然能够以高速对研磨对象物进行研磨，与用有机酸进行了固定化的构成相比，也能够以更高速度进行研磨。

<研磨对象物>

首先，对本发明中的研磨对象物进行说明。