[发明专利]用于预清洁导电互连结构的方法

权利要求书

1.一种处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达400摄氏度的温度，其中所述基板包括暴露的导电材料；

通过将具有液态醇类的安瓿暴露于使存储于所述安瓿中的所述液态醇类汽化的压力，使所述液态醇类在所述基板处理腔室外部汽化为被汽化的醇类；将所述被汽化的醇类引入所述基板处理腔室中；和

将所述基板暴露于处理气体，以还原所述导电材料的受污染表面，所述处理气体以等于80重量％至100重量％的量包括所述被汽化的醇类。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述导电材料为铜或钴。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述醇类具有化学式C_nH_2n+1-OH，其中n为整数。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述醇类为乙醇、异丙醇、甲醇或丁醇之一或更多者。

5.如权利要求1所述的方法，其中在将所述基板暴露于所述处理气体时，所述基板处理腔室的压力为0.1托至30托。

6.如权利要求1所述的方法，其中在将所述基板暴露于所述处理气体时，所述基板处理腔室的压力为0.6托至3托。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：将所述基板暴露于所述处理气体达60秒。

8.如权利要求1所述的方法，其中将所述安瓿维持在20摄氏度到50摄氏度的温度，并且其中所述安瓿中的所述醇类的蒸气压基本上恒定。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括以下步骤：将被汽化的醇类经由真空抽吸处理从所述安瓿抽取到所述处理容积中。

10.如权利要求1至7中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：将所述基板暴露于氢自由基，所述氢自由基从耦接到所述基板处理腔室的远程等离子体源被提供到所述处理容积。

11.如权利要求10所述的方法，其中在将所述基板暴露于所述处理气体之前或与将所述基板暴露于所述处理气体同时的至少一者的情况下，将所述氢自由基提供到所述处理容积。

12.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于所述第一表面中的开口，且其中所述暴露的导电材料为设置于所述基板中并与所述开口对准的导电材料的部分，以使得设置于所述基板中的所述导电材料的一部分经由所述开口而暴露。

13.一种具有指令储存其上的非瞬时计算机可读介质，当执行所述指令时产生处理基板的方法，所述方法如权利要求1至7中任一项所描述的。