[发明专利]用于预清洁导电互连结构的方法

说明书

本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于第一表面中的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的一部分，以使得设置于基板中的导电材料的一部分经由开口而暴露。

技术领域

本公开内容的实施方式大体涉及处理基板的方法，具体地为预清洁导电互连结构的方法。

背景技术

在集成电路(IC)的互连结构的制造中，形成于过孔(via)底部的导电表面(诸如铜表面或钴表面)通常被在过孔开口和随后的金属硬掩模移除期间形成的蚀刻副产物和残留物污染。尽管可藉由随后的干式清洁处理移除大尺寸的颗粒，但无法藉由干式清洁处理移除来自蚀刻相关元素(诸如氧、氟和碳)或由于导电互连表面暴露于空气所产生的氧化物的原子级污染。

通常，氟、氧和碳污染物可藉由湿式清洁方法移除。然而，发明人已观察到，由于与低k电介质的相容性(compatibility)问题以及最近对低k损伤的更严格要求(例如，碳耗尽问题)，这些技术无法用于较新的线后端(back end of the line,BEOL)处理。热或温和的干式清洁通常用于后过孔蚀刻，以通过更平缓的处理改善电子性能。

因此，发明人已开发改良技术，以还原导电互连表面。

发明内容

本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，第一表面具有形成于第一表面中的开口，且其中导电材料设置于基板中并与所述开口对准，以使得导电材料的一部分经由开口而暴露。

在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积中的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括第一表面和开口，所述开口形成于第一表面中并朝向相对的第二表面延伸，第二表面具有设置于第二表面中并与开口对准的铜材料；和将基板暴露于约80重量％至约100重量％的醇类，以还原铜材料的受污染表面，其中醇类具有分子式C_nH_2n+1-OH，且其中n为整数。

在一些实施方式中，提供一种具有储存其上的指令的计算机可读介质，当执行这些指令时使得处理腔室执行用于处理基板的方法。所述方法可包括本文所披露的任何方法。

本发明的其他和进一步实施方式将描述于下。

附图说明

可通过参照描绘于附图中的本公开内容的说明性实施方式来理解上文简要概述且下文更详细论述的本公开内容的实施方式。然而，附图仅绘示本公开内容的典型实施方式，因此不应视为对本公开内容范围的限制，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施方式。

图1图示根据本公开内容一些实施方式的基板处理系统的示意图。

图2A-F图示根据本公开内容一些实施方式的处理基板的阶段。

图3图示根据本公开内容一些实施方式的适于执行用于处理基板的方法的群集工具。

图4图示根据本公开内容一些实施方式的用于处理基板的方法的流程图。

为促进理解，已尽可能地使用相同的参考标记来标示各图共有的相同元件。为了清楚起见，各图未按比例绘制且可进行简化。一个实施方式的元件和特征可有利地并入其他实施方式，而无需进一步详述。

具体实施方式