[发明专利]多阻抗关联电子开关结构

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成集成电路结构的多个关联电子开关器件，所述多个关联电子开关器件包括具有第一关联电子材料的第一关联电子开关器件和具有第二关联电子材料的第二关联电子开关器件，

其中，所述第一关联电子材料和所述第二关联电子材料包括不同的阻抗特性。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个关联电子开关器件包括：在所述集成电路结构的特定层中形成所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件。

3.如权利要求2所述的方法，其中，在所述集成电路结构的所述特定层中形成所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件包括：至少部分地通过选择性外延沉积形成所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件中的一个或多个。

4.如权利要求2或3所述的方法，其中，在所述集成电路结构的所述特定层中形成所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件包括：至少部分通过离子注入形成所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件中的一个或多个。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个关联电子开关器件包括：在所述集成电路结构的不同层中形成所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件。

6.如权利要求5所述的方法，其中，在所述集成电路结构的不同层中形成所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件包括：至少部分地通过层沉积形成所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件中的一个或多个。

7.如权利要求5或6所述的方法，其中，在所述集成电路结构的不同层中形成所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件包括：至少部分地通过选择性外延沉积形成所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件中的一个或多个。

8.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述集成电路结构的所述多个关联电子开关器件包括：至少部分地通过关联电子材料的层沉积，在所述集成电路结构的特定层中形成两个或多个关联电子开关器件。

9.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述集成电路结构的所述多个关联电子开关器件包括：

至少部分地通过层沉积和选择性外延沉积的组合，形成所述第一关联电子开关材料的所述多个关联电子开关器件中的一个或多个；以及

至少部分地通过层沉积和选择性外延沉积的组合，形成所述第二关联电子开关材料的所述多个关联电子开关器件中的一个或多个。

10.如任意前述权利要求所述的方法，进一步包括：分别基本邻近所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件，放置第一存取器件和第二存取器件。

11.一种装置，包括：

集成电路结构，包括第一关联电子材料的第一关联电子开关器件和第二关联电子材料的第二关联电子开关器件，

其中，所述第一关联电子材料和所述第二关联电子材料包括不同的阻抗特性。

12.如权利要求11所述的装置，其中，所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件位于所述集成电路结构的特定层中。

13.如权利要求12所述的装置，其中，所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件中的一个或多个至少部分地通过选择性外延沉积形成。

14.如权利要求11所述的装置，其中，所述第一关联电子开关和所述第二关联电子开关位于所述集成电路结构的不同层中。

15.如权利要求14所述的装置，其中，所述第一关联电子开关器件和所述第二关联电子开关器件中的一个或多个至少部分地通过层沉积形成。