[发明专利]多阻抗关联电子开关结构在审
申请号: | 201680057845.1 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN108140665A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 卢西恩·斯弗恩 | 申请(专利权)人: | ARM有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 林强 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子开关 关联 三维存储器阵列 电子开关结构 关联电子材料 集成电路结构 金属化层 阻抗特性 阻抗 配置 | ||
所提出的装置包括位于集成电路结构(400)的金属化层(440)之间的关联电子开关(455,475),其中,关联电子开关包括,尤其是在三维存储器阵列配置中,基本不同的阻抗特性的一种或多种关联电子材料。
技术领域
本技术一般地涉及关联电子开关器件,尤其涉及包括具有不同的阻抗特性的关联电子开关器件的集成电路结构。
背景技术
例如,可以在各种电子器件类型中找出诸如,电子开关器件的集成电路器件。例如,存储器和/或逻辑器件可以包括可以用在计算机、数字相机、蜂窝电话、平板设备、个人数字助理等中的电子开关。设计者在考虑任意特定应用的适用性时可能感兴趣的、与电子开关器件(例如,可以包括在存储器和/或逻辑器件中的电子开关器件)有关的因素可以包括例如,物理尺寸、存储密度、工作电压、和/或功率消耗。设计者可能感兴趣的其他示例因素可以包括制造成本、制造容易、可缩放性、和/或可靠性。另外,貌似存在对于展现出较低功率和/或较高速度的特性的存储器和/或逻辑器件的不断增长的需求。
附图说明
在附图中通过示例示意性地示出了本技术,其中:
图1a示出了包括关联电子材料的关联电子开关器件的示例实施例的框图;
图1b描绘了关联电子开关的示例符号;
图2是关联电子开关的等效电路的示意图;
图3示出了关联电子开关的电流密度与电压的图表;
图4a至图4f示出了在形成包括一个或多个关联电子开关的集成电路的示例技术期间的一部分的截面图;
图5a至图5g示出了在形成包括一个或多个关联电子开关的集成电路的示例技术期间的一部分的截面图;
图6是描绘了包括一个或多个关联电子开关的示例集成电路的一部分的截面图的图示;
图7是描绘了包括一个或多个关联电子开关的示例集成电路的一部分的截面图的图示;
图8是描绘了包括一个或多个关联电子开关的示例集成电路的一部分的截面图的图示;
图9a至图9e示出了在形成包括一个或多个关联电子开关的集成电路的示例技术期间的一部分的截面图;以及
图10描绘了包括关联电子开关器件的交叉点阵列的示例可编程结构。
具体实施方式
在下面的详细描述中参考形成本说明书一部分的附图,其中,相同的标号可以贯穿全文指定相同的部分,以指示相应的和/或相似的组件。应该理解的是,例如,为了图示的简单和/或清楚,图中所示的组件不一定是按比例绘制的。例如,可以相对于其他组件放大一些组件的尺寸。另外,将理解的是,可以利用其他实施例。进一步地,可以在不偏离请求保护的主题的条件下做出各种结构和/或其他修改。还应该注意的是,诸如,上、下、上方、下方之类的方向和/或参照可以用来方便附图的讨论和/或而不用于限制所请求保护的主题的应用。因此,下面的详细描述不应该被认为限制请求保护的主题和/或等同物。
贯穿说明书对一种实施方式、实施方式、一个实施例、实施例、和/或相似用语的引用意味着,结合特定实施方式和/或实施例描述的特定特征、结构、和/或特性被包括在请求保护的主题的至少一种实施方式和/或至少一个实施例中。因此,贯穿说明书的不同位置出现的这种短语不一定用于指代所描述的相同的实施方式或者任意一种特定的实施方式。另外,将理解的是,所描述的特定特征、结构、和/或特性能够以各种方式被结合在一种或多种实施方式中,因此落入期望的保护范围。当然,在一般情况下,这些和其他问题随着上下文变化。因此,描述和/或使用的特定上下文提供了有关所描绘的推论的有帮助的导引。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的