[发明专利]玻璃基板、层叠基板和层叠体

说明书

本发明的玻璃基板，作为基本组成，以氧化物基准的摩尔百分比表示，含有SiO₂：58～75％、Al₂O₃：4.5～16％、B₂O₃：0～6％、MgO：0～6％、CaO：0～6％、SrO：5～20％、BaO：5～20％、MgO+CaO+SrO+BaO：15～40％，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分比表示为0～0.1％，50℃～350℃的平均热膨胀系数α为56～90(×10^－7/℃)。

技术领域

本发明涉及玻璃基板、层叠基板和层叠体。

背景技术

在半导体设备领域，设备的集成度增加，另一方面，设备不断小型化。随之，对具有高集成度的设备的封装技术的需求不断提高。

近年来，对原尺寸晶片状态的玻璃基板贴合硅基板的晶片级封装技术备受关注。作为晶片级封装使用的玻璃基板，例如，可举出扇出型晶片级封装用的支承玻璃基板等(例如，参照专利文献1)。在扇出型晶片级封装中，玻璃基板隔着树脂等剥离层与硅基板贴合，硅基板被树脂包埋。通过照射紫外线，使玻璃基板与被树脂包埋的硅基板剥离。被剥离的玻璃基板再次被利用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015－78113号公报

专利文献2:日本特开平8－333133号公报

发明内容

为了使玻璃基板与硅基板贴合，需要热处理工序。在热处理工序中，例如，在200℃～400℃的温度下将剥离层夹在中间而贴合玻璃基板与硅基板，由此形成层叠基板，缓冷至室温。此时，如果玻璃基板和硅基板的热膨胀系数存在大的差异，则因热膨胀率的差异，玻璃基板和硅基板产生大的残余应变(残余变形)，层叠基板容易变形、破损。

另外，如果硅基板含有碱离子，则作为半导体设备施加栅压时因碱离子使电场分布变化，以至于难以发挥开关功能。因此，在热处理工序中要求碱离子不从玻璃基板向硅基板扩散。

此外，如果玻璃基板的表面有污染物、异物，则难以与硅基板贴合，优选在利用HCl、HF等酸性溶液清洗后与硅基板贴合。另外，在扇出型晶片级封装中，为了再次利用被剥离的玻璃基板，利用HCl、HF等酸性溶液除去附着于玻璃基板的剥离层。因此，要求玻璃基板具有对HCl、HF等酸性溶液的化学耐久性。

在专利文献1中，公开了在20～200℃的温度范围的平均线热膨胀系数为50×10^－7～66×10^－7/℃的支承玻璃基板，但由于含有5质量％以上的Na₂O、K₂O等碱金属氧化物，所以在热处理工序中碱离子容易向半导体基板扩散。

在专利文献2中，公开了在0～300℃的温度范围的线热膨胀率为60～90×10^－7/℃的玻璃，但对酸性溶液的化学耐久性不充分。

目前为止，没有能够全部解决下述3个课题的玻璃基板、层叠基板和层叠体，所述课题是：(1)对酸性溶液的化学耐久性好，(2)在使玻璃基板与硅基板贴合的热处理工序中碱离子不易向硅基板扩散，(3)在热处理工序中层叠基板产生的残余应变小。

本发明提供全部解决上述的3个课题的玻璃基板、层叠基板和层叠体。

本发明的玻璃基板，作为基本组成，以氧化物基准的摩尔百分比表示，含有下述成分：

SiO₂：58～75％，

Al₂O₃：4.5～16％，

B₂O₃：0～6％，