[发明专利]保护带和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680058449.0 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN108140570B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 森山浩伸 | 申请（专利权）人： | 迪睿合株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/301;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.半导体装置的制造方法，其具有：
在形成有突起电极的晶片面上，粘贴依次具有粘接剂层、热塑性树脂层和基材膜层的保护带的工序；
研磨上述晶片的上述保护带粘贴面的相反面的工序；
在上述晶片的研磨面上粘贴粘合带的工序；
残留上述粘接剂层而剥离上述保护带，去除其它层的工序；
切割粘贴有上述粘合带的晶片，获得单片的半导体芯片的工序；和
在上述切割之前使上述粘接剂层固化的工序，
上述固化后的粘接剂层的储存剪切弹性模量为3.0E+08Pa~5.0E+09Pa，
上述粘贴前的保护带的粘接剂层的厚度与上述突起电极的高度之比(粘贴前的粘接剂层的厚度/突起电极的高度)为1/30~1/6。
2.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
上述粘接剂层使用粘接剂组合物形成，
上述粘接剂组合物含有成膜树脂、热固性树脂、固化剂和填料，上述粘接剂组合物中填料的含量为3~35质量％。
3.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
上述粘接剂层使用粘接剂组合物形成，
上述粘接剂组合物含有成膜树脂、热固性树脂、固化剂和填料，上述粘接剂组合物中填料的含量为25~35质量％。
4.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，上述粘贴前的保护带的粘接剂层的厚度为10~30
5.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，上述突起电极的高度为100~300
6.权利要求1~5的任一项中所述的半导体装置的制造方法，其中，上述单片的半导体芯片的突起电极是焊料凸点，
所述方法进一步具有：将上述单片的半导体芯片与形成有带焊剂的电极的基板在回流焊炉中接合的安装工序。
7.一种保护带，其是依次具有粘接剂层、热塑性树脂层和基材膜层，且上述粘接剂层被粘贴于形成有突起电极的晶片面的保护带，
固化后的上述粘接剂层的储存剪切弹性模量为3.0E+08Pa~5.0E+09Pa的范围，
上述粘贴前的保护带的粘接剂层的厚度与上述突起电极的高度之比(粘贴前的粘接剂层的厚度/突起电极的高度)为1/30~1/6。
8.权利要求7所述的保护带，其中，
上述粘接剂层使用粘接剂组合物形成，
上述粘接剂组合物含有成膜树脂、热固性树脂、固化剂和填料，上述粘接剂组合物中填料的含量为3~35质量％。
9.权利要求7所述的保护带，其中，
上述粘接剂层使用粘接剂组合物形成，
上述粘接剂组合物含有成膜树脂、热固性树脂、固化剂和填料，上述粘接剂组合物中填料的含量为25~35质量％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
