[发明专利]保护带和半导体装置的制造方法

说明书

在抑制晶片碎屑的同时，使半导体芯片安装时的焊料接合性良好。具有：在形成有突起电极22的晶片21面上，粘贴依次具有粘接剂层11、热塑性树脂层12和基材膜层13的保护带10的工序；研磨晶片21的保护带10粘贴面的相反面的工序；在晶片21的研磨面上粘贴粘合带30的工序；残留粘接剂层11而剥离保护带10，去除其它层的工序；切割粘贴有粘合带30的晶片21，获得单片的半导体芯片的工序；和在切割之前使粘接剂层11固化的工序，固化后的粘接剂层11的储存剪切弹性模量为3.0E+08Pa~5.0E+09Pa的范围，粘贴前的保护带10的粘接剂层11的厚度与突起电极22的高度之比(粘贴前的粘接剂层的厚度/突起电极的高度)为1/30~1/6。

技术领域

本发明涉及在半导体装置的制造中使用的保护带(保护胶带)、和半导体装置的制造方法。本申请基于2015年10月19日在日本申请的日本专利申请号特愿2015-205647主张优先权，将该申请通过参考援引于本申请中。

背景技术

以往，用于倒装芯片安装的半导体制造工艺的后处理如下进行。首先，在形成有多个突起电极(凸点)的晶片的突起电极形成面，为了保护突起电极而粘贴被称为背面研磨带(Back Grind Tape，背磨胶带)的保护片或带，在这种状态下将突起电极形成面的相反面研削至规定的厚度。研削结束后，将背面研磨带剥离，并将晶片切割成各个半导体芯片。接下来，将半导体芯片倒装安装在另一半导体芯片或基板上。此外，将底层填料(アンダーフィル)固化以加强半导体芯片。

专利文献1中记载了：使用热固性树脂层与热塑性树脂层层合而得的层合片作为背面研磨带，仅在晶片上残留该层合片的热固性树脂层而除去其它层的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-28734号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

可是，在半导体制造工序中，希望在抑制切割时的晶片碎屑(チッピング)(晶片破裂)的同时，使半导体芯片安装时的焊料接合性(焊接性)良好。

然而，以往的背面研磨带，在仅将热固性树脂层残留于晶片而除去其它层上时，树脂会残留在突起电极上，例如在回流焊时阻碍焊料接合，使连接性下降。因此，在以往的背面研磨带中，难以兼顾切割时晶片碎屑的抑制和良好的焊料接合性。

本发明是鉴于上述以往的实际情况而提出的，提供一种半导体装置的制造方法，其可以在抑制切割时的晶片碎屑的同时，使半导体芯片安装时的焊料接合性良好。

用于解决课题的手段

本发明所涉及的半导体装置的制造方法，具有：在形成有突起电极的晶片面上，粘贴依次具有粘接剂层、热塑性树脂层和基材膜层的保护带的工序；研磨晶片的保护带粘贴面的相反面的工序；在晶片的研磨面上粘贴粘合带(粘合胶带)的工序；残留粘接剂层而剥离保护带，去除其它层的工序；切割粘贴有粘合带的晶片，获得单片(個片)的半导体芯片的工序；和在切割之前使粘接剂层固化的工序，固化后的粘接剂层的储存剪切弹性模量为3.0E+08Pa~5.0E+09Pa，粘贴前的保护带的粘接剂层的厚度与突起电极的高度之比(粘贴前的粘接剂层的厚度/突起电极的高度)为1/30~1/6。

本发明所涉及的保护带，依次具有粘接剂层、热塑性树脂层和基材膜层，粘接剂层被粘贴于形成有突起电极的晶片面，固化后的粘接剂层的储存剪切弹性模量为3.0E+08Pa~5.0E+09Pa的范围，粘贴前的粘接剂层的厚度与突起电极的高度之比(粘贴前的粘接剂层的厚度/突起电极的高度)为1/30~1/6。

发明效果