[发明专利]弹性波装置

权利要求书

1.一种弹性波装置，具备：

LiNbO₃基板；

IDT电极，设置在所述LiNbO₃基板；

电介质膜，设置在所述LiNbO₃基板上，使得覆盖所述IDT电极；以及

频率调整膜，设置在所述电介质膜上，

所述LiNbO₃基板的欧拉角为(0°±5°的范围内，θ±1.5°的范围内，0°±10°的范围内)，所述IDT电极具有主电极，在将通过由所述IDT电极的电极指间距决定的波长λ进行标准化而成的所述主电极的膜厚设为T并将所述主电极的材料与Pt的密度比设为r时，

所述主电极为从包含Pt、W、Ta以及Mo的组之中选择出的一种金属或将从包含Pt、W、Ta以及Mo的组之中选择出的一种金属作为主体的合金，

所述主电极的膜厚T和所述欧拉角的θ满足下述的式(1)，

式(1)：θ＝-0.05°/(T/r-0.04)+31.35°。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

所述θ处于25°以上且31°以下的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

所述频率调整膜的膜厚大于0且为0.025λ以下。

4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，

所述频率调整膜的膜厚为0.005λ以下。

5.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

所述电介质膜包含氧化硅。

6.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

所述频率调整膜包含氮化硅。

7.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

所述IDT电极具有所述主电极和包含所述主电极以外的金属的其他电极层。

8.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

所述弹性波装置是具有所述IDT电极的带通型滤波器。

9.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

所述IDT电极的合计膜厚为0.25λ以下。

10.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中，

所述氧化硅的厚度比所述IDT电极厚。