[发明专利]弹性波装置

说明书

本发明提供一种即使在频率调整膜的膜厚发生了变化的情况下也不易产生SH波杂散的大小的变动的弹性波装置。弹性波装置(1)在LiNbO₃基板(2)上设置有IDT电极(3)、电介质膜(6)以及频率调整膜(7)。LiNbO₃基板(2)的欧拉角为(0°±5°的范围内，θ±1.5°的范围内，0°±10°的范围内)，IDT电极(3)具有主电极，在将主电极的用由IDT电极(3)的电极指间距决定的波长λ进行标准化而成的膜厚设为T并将主电极的材料与Pt的密度比设为r时，主电极的膜厚T和欧拉角的θ满足式(1)。式(1)：θ＝‑0.05°/(T/r‑0.04)+31.35°。

技术领域

本发明涉及在LiNbO₃基板上层叠有IDT电极、电介质膜以及频率调整膜的弹性波装置。

背景技术

在下述的专利文献1中公开了利用瑞利波的弹性波装置。在该弹性波装置中，在LiNbO₃基板上层叠有SiO₂膜，使得覆盖IDT电极。进而，在SiO₂膜上设置有频率调整用的SiN膜。通过调整SiN膜的厚度，从而可谋求弹性波装置的频率的调整。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-186808号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1记载的弹性波装置中，若SiN膜的膜厚变动，则成为杂散(Spurious)的SH波的响应会变化。因此，在为了进行频率调整而SiN膜的膜厚发生了变化的情况下，有时被抑制的SH波杂散会产生得较大。

本发明的目的在于，提供一种即使频率调整膜的膜厚变化也不易产生SH波杂散的大小的变动的弹性波装置。

用于解决课题的技术方案

本发明涉及的弹性波装置具备：LiNbO₃基板；IDT电极，设置在所述LiNbO₃基板；电介质膜，设置在所述LiNbO₃基板上，使得覆盖所述IDT电极；以及频率调整膜，设置在所述电介质膜上，所述LiNbO₃基板的欧拉角为(0°±5°的范围内，θ±1.5°的范围内，0°±10°的范围内)，所述IDT电极具有主电极，在将通过由所述IDT电极的电极指间距决定的波长λ进行标准化而成的所述主电极的膜厚设为T并将所述主电极的材料与Pt的密度比设为r时，所述主电极的膜厚T和所述欧拉角的θ满足下述的式(1)。

式(1)：θ＝-0.05°/(T/r-0.04)+31.35°

在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，所述θ处于25°以上且31°以下的范围内。在该情况下，即使是频率调整膜的膜厚薄的情况，也能够更加有效地抑制SH波杂散的变动。

在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述主电极为从包含Pt、Au、W、Ta、Mo以及Cu的组之中选择出的一种金属或将该金属作为主体的合金。

在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述频率调整膜的膜厚大于0且为0.025λ以下。在该情况下，能够使用频率调整灵敏度高的区域。因此，能够降低频率调整工序的成本。

在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述频率调整膜的膜厚为0.005λ以下。

在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述电介质膜包含SiO₂等氧化硅。在该情况下，能够减小频率温度系数TCF的绝对值。

在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述频率调整膜包含SiN等氮化硅。