[发明专利]加热器单元

说明书

提供温度的面内均匀性高的加热器单元。加热器单元具有：第一加热器部；第二加热器部，相对于第一加热器部独立地受控制；基材，在和第一加热器部与第二加热器部之间相对应的区域设置有槽；以及盖部，配置于槽的开口端，并与槽一起提供封闭空间。另外，可以还具有覆盖第一加热器部和第二加热器部的绝缘层、和隔着绝缘层安装于基材的静电吸盘。由盖部和槽提供的封闭空间可以为真空。

技术领域

本发明涉及加热器单元。本发明尤其涉及半导体制造装置中使用的加热器单元。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，通过在半导体基板上形成薄膜并对其进行加工从而形成晶体管元件、布线、阻抗元件、电容元件等功能元件。作为在半导体基板上形成薄膜的方法，可采用化学气相沉积法(CVD：Chemical Vapor Deposition)、物理气相沉积法(PVD：Physical Vapor Deposition)、或原子层沉积法(ALD：Atomic Layer Deposition)等方法。另外，作为对薄膜进行加工的方法，可采用反应性离子蚀刻(RIE：Reactive Ion Etching)法等方法。另外，在半导体装置的制造工序中，除了薄膜的成膜和加工之外还进行等离子体处理等表面处理的工序。

在上述的成膜、加工以及表面处理的工序所使用的装置中，设置有支承半导体基板的工作台。该工作台不仅支承半导体基板，而且还具有根据各处理工序而调节半导体基板的温度的功能。为了如上述那样调节温度，在工作台设置有加热机构。尤其是，在上述的半导体装置中，广泛使用由金属、陶瓷构成的陶瓷加热器(加热器单元)来作为加热机构。

在上述的成膜、加工以及表面处理的工序中，膜质、加工形状以及表面状态根据基板的温度而敏感地变化。因此，对于上述的加热器单元，要求温度的面内均匀性高。上述的工序中所用的半导体装置，根据各工程所要求的特征而具有不同的腔室构造、电极构造。由于上述结构的差异，因散热(即，从载置于腔室内的基板向腔室气氛内的散热和从基板向载置基板的工作台传递的散热)所造成的影响，基板温度的面内均匀性会恶化。另外，在使用等离子体的装置中，因腔室内的等离子体密度的影响，基板温度的面内均匀性会恶化。

为了改善上述的基板温度的面内均匀性的恶化，例如在专利文献1和专利文献2中公开了如下技术：通过将配置于加热器单元的发热电阻(加热器部)分成多个区带，并独立地对各个加热器部进行控制，从而改善基板温度的面内均匀性。在专利文献1和专利文献2所记载的加热器单元中，由于在相邻的区带之间的基材上设置有凹部，所以相邻的区带之间是绝热的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2006-24433号公报

专利文献2:日本特开2008-251707号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，如专利文献1和专利文献2所示，相邻的区带之间的凹部与腔室内的空间(或者腔室外的大气)相连。因此，相邻的区带之间的绝热效果受到腔室内的空间温度(或者大气温度)的影响。其结果，相邻的区带之间的绝热效果会因腔室内的空间温度(或者大气温度)而变化，因此难以得到不依存于使用环境的稳定的绝热效果。另外，若存在于腔室内的被加热了的气体的分布不均匀，则基板温度的面内均匀性会恶化。

本发明是鉴于这样的课题而完成的，目的在于提供一种温度的面内均匀性高的加热器单元。

用于解决课题的技术方案

本发明的一实施方式的加热器单元具有：第一加热器部；第二加热器部，相对于第一加热器部独立地受控制的；基材，在和第一加热器部与第二加热器部之间相对应的区域设置有槽；以及盖部，配置于槽的开口端，并与槽一起提供封闭空间。

另外，封闭空间可以为真空。