[发明专利]具有低氧气传输速率的药物和其他包装在审
申请号: | 201680060686.0 | 申请日: | 2016-08-18 |
公开(公告)号: | CN108138316A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | M·威尔斯;A·塔哈;C·维卡特 | 申请(专利权)人: | SIO2医药产品公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/40;C23C16/30;C23C16/515;A61L31/08;A61J1/05 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 施加 内腔中 阻隔涂层 衔接 等离子体增强化学气相沉积处理 血液样品收集 环境压力 气体渗透 速率常数 涂覆容器 氧气传输 抽真空 暴露 制造 | ||
1.一种处理容器的方法,该方法包括:
a.提供包括基本上由限定内腔的热塑性聚合物材料组成的壁的容器,该壁具有面向该内腔的内部表面和外部表面;
b.在该内腔中抽部分真空;
c.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时,通过衔接PECVD涂覆工艺施加SiOxCy的衔接涂层或层,该衔接PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的同时,施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体,从而在该内部表面上产生SiOxCy的衔接涂层或层,其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3,各自如通过X射线光电子能谱法(XPS)所确定;
d.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时,熄灭该等离子体;
e.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时,通过阻隔PECVD涂覆工艺施加阻隔涂层或层,该阻隔PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体和氧气的气体的同时,施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体,从而在该衔接涂层或层与该内腔之间产生SiOx的阻隔涂层或层,其中x为从1.5至2.9,如通过XPS所确定;
f.任选地,在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时,熄灭该等离子体;以及
g.任选地,通过pH保护PECVD涂覆工艺在该阻隔涂层或层与该内腔之间施加SiOxCy的pH保护涂层或层,其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3,各自如通过XPS所确定,该pH保护PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的同时,施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体;
从而形成,与通过除了在施加该衔接涂层或层与施加该阻隔涂层或层之间破坏该内腔中的该部分真空之外相同的工艺所制造的相应容器相比,具有更低的到该内腔中的气体渗透速率常数的涂覆容器。
2.如任一前述权利要求所述的方法,其中进行所述步骤f。
3.如任一前述权利要求所述的方法,其中进行所述步骤g。
4.如任一前述权利要求所述的方法,其中通过施加脉冲功率在该内腔内产生等离子体来进行所述步骤c。
5.如任一前述权利要求所述的方法,其中通过施加脉冲功率在该内腔内产生等离子体来进行所述步骤e。
6.如任一前述权利要求所述的方法,其中通过施加脉冲功率在该内腔内产生等离子体来进行所述步骤g。
7.如任一前述权利要求所述的方法,通过进一步包括以下方面的工艺形成:在所述步骤d与e之间,停止该包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的进料。
8.如任一前述权利要求所述的方法,通过进一步包括以下方面的工艺形成:在所述步骤f与g之间,停止该包括线性硅氧烷前体和氧气的气体的进料。
9.如任一前述权利要求所述的方法,进一步包括在该内腔中提供流体组合物的后续步骤。
10.如权利要求9所述的方法,其中该流体组合物包含抗凝血试剂,例如柠檬酸钠缓冲溶液。
11.如任一前述权利要求所述的方法,其中在每个涂覆工艺中使用相同的线性硅氧烷前体。
12.如任一前述权利要求所述的方法,其中各线性硅氧烷前体是HMDSO或TMDSO、优选HMDSO。
13.如任一前述权利要求所述的方法,其中该壁包含聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN);聚烯烃、环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)、聚丙烯(PP)或聚碳酸酯,优选COP。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的