[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法和R-T-B系烧结磁体有效
申请号: | 201680061177.X | 申请日: | 2016-10-03 |
公开(公告)号: | CN108140481B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 三野修嗣 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;B22F3/00;B22F3/24;C22C9/00;C22C28/00;C22C38/00;H01F1/057 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
1.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,包括:
准备R-T-B系烧结磁体的工序,其中,R为稀土元素,T为Fe或Fe和Co;
在使RLM合金的粉末和RH氟化物的粉末存在于所述R-T-B系烧结磁体的表面的状态下,在所述R-T-B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序,其中RL为Nd和/或Pr,M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni中的1种以上,RH为Dy和/或Tb;
将热处理后的所述R-T-B系烧结磁体的所述表面在深度方向磨削400μm以下的工序,
所述RLM合金含有50原子%以上的RL,并且,所述RLM合金的熔点为所述热处理的温度以下,
所述热处理在所述RLM合金的粉末和所述RH氟化物的粉末以RLM合金﹕RH氟化物=96﹕4~50﹕50的质量比率存在于所述R-T-B系烧结磁体的所述表面的状态下进行。
2.如权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:在磨削所述R-T-B系烧结磁体的所述表面的工序中,在深度方向磨削200μm以下。
3.如权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:
在所述R-T-B系烧结磁体的所述表面中,所述RH氟化物的粉末所含的RH元素的质量在所述表面的每1mm2为0.03~0.35mg。
4.如权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:
在所述R-T-B系烧结磁体的所述表面中,所述RLM合金的粉末和所述RH氟化物的粉末处于混合的状态。
5.如权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:
在所述R-T-B系烧结磁体的所述表面中,实质上不存在RH氧化物的粉末。
6.一种R-T-B系烧结磁体,其特征在于:
具有作为主要的稀土元素R含有轻稀土元素RL的R2Fe14B型化合物晶粒为主相,含有重稀土元素RH,其中,RL为Nd和Pr中的至少1种,RH为选自Dy、Ho和Tb中的至少1种,
所述重稀土元素的浓度从磁体表面向磁体中心部去降低,
在相对于所述磁体表面垂直的截面中,从所述磁体表面至100μm的深度的表层区域中的氧化物颗粒的面积比例低于所述磁体中心部的深度方向的厚度为100μm的中央区域中的氧化物颗粒的面积比例,
氟不扩散到内部。
7.如权利要求6所述的R-T-B系烧结磁体,其特征在于:
在相对于所述磁体表面垂直的截面中,所述表层区域中的所述氧化物颗粒的面积比例为所述中央区域中的所述氧化物颗粒的所述截面中的面积比例的95%以下。
8.如权利要求6所述的R-T-B系烧结磁体,其特征在于:
在相对于所述磁体表面垂直的截面中,所述表层区域中的所述氧化物颗粒的面积比例为所述中央区域中的所述氧化物颗粒的所述截面中的面积比例的75%以下。
9.如权利要求6所述的R-T-B系烧结磁体,其特征在于:
在相对于所述磁体表面垂直的截面中,从所述磁体表面至100μm的深度的表层区域中的含氟化合物的面积比例为1%以下。
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