[发明专利]激光处理装置整流装置及激光处理装置

说明书

一种向具有板面的处理对象(100)照射激光(2)以进行处理的激光处理装置(1)，包括：透过区域(15)，所述透过区域供激光(2)透过以向保持于激光处理装置(1)的处理对象(100)照射；整流部(20、30)，所述整流部具有整流面(20A、30A)，该整流面从透过区域端部侧，与处理对象(100)空开间隔而沿处理对象(100)的板面向透过区域外侧延伸；气体供给部(22)，所述气体供给部在远离透过区域的位置处，向整流面(20A、30A)的一侧与透过区域(15)之间的空隙供给气体；以及气体排出部(24)，所述气体排出部在远离透过区域(15)的位置处，在与所述一侧隔着透过区域(15)的另一侧，将存在于整流面(20A、30A)与处理对象(100)之间的空隙的气体排出到所述空隙外，从而能形成稳定的局部气体气氛。

技术领域

本发明涉及一种能形成局部气体气氛并向处理对象照射激光以进行处理的激光处理装置整流装置及激光处理装置。

背景技术

在向基板上的硅半导体膜等照射激光以进行退火处理的装置中，已知有一种装置，这种装置在基板上形成将被激光照射的区域包围的局部气体气氛来进行退火处理。

图6是表示现有的相关装置的主视图。在上述装置中，在将激光50导入以向基板70照射的激光照射筒51上设有激光导入窗52。激光照射筒51的下方两侧分别设有水平的整流板53、54，整流板53、54之间的间隙的激光透过孔51B供激光50透过。

基板70位于激光处理筒51的下方侧并载置于能沿水平方向移动的试样台60上。在上述状态下，整流板53、54与基板70形成有规定的间隔。在激光照射筒51形成有气体供给孔51A，能够从外部向气体照射筒51内供给规定的气体。向气体照射筒51内供给的气体穿过激光透过孔51B而向下方吹出，在与基板70碰撞后，穿过整流板53、54与基板70之间的间隙而朝外侧流动，从而形成局部气体气氛。

此外，在专利文献1中，提出了一种激光退火装置，该激光退火装置具有：气氛控制元件，上述气氛控制元件将被激光光束照射的区域包围；多个气体供给元件，上述多个气体供给元件能向气氛控制元件内供给不同的气体；以及排气调节元件，上述排气调节元件将由上述气体供给元件供给的、上述气氛控制元件内的气体从退火腔室排出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2002－217124号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在专利文献1等的现有装置中，为了形成气体气氛，从激光的光路附近向基板持续喷射气体。但是，若从激光照射位置的上方喷射气流，则在激光照射位置会产生湍流。为了防止湍流，进行了改进，将喷射的气流形成为层流，但是无法避免因气流与基板碰撞导致的湍流。此外，虽然尝试了降低气体流速从而使湍流平缓的方法，但是这样会使原本的目的即形成均匀的气氛变得困难。

若产生气体湍流，则会使气体的压力、温度紊乱。其结果为，激光的光折射率发生变化，激光照射位置处的激光强度变得不均匀，从而导致激光照射处理无法均匀地进行。此外，若由激光照射导致从Si半导体膜等的基板产生Si的蒸汽、微粒，则会导致激光光路上的光折射率发生变化，或会对激光遮挡。在产生有湍流的状态、流速明显变慢的状态下，难以将上述的蒸汽、微粒等从基板产生的物质从激光光路上排出。

本发明为解决上述现有技术问题而作，其目的在于提供一种激光处理装置整流装置及激光处理装置，通过使气流沿处理对象流动，从而能利用任意种类的气流来形成均匀的气氛。

解决技术问题所采用的技术方案

即，本发明的激光处理装置整流装置中的第一方面是一种整流装置，

设于向具有板面的处理对象照射激光来进行处理的激光处理装置，其特征在于，包括：