[发明专利]大面积双基板处理系统在审
| 申请号： | 201680062629.6 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN108350572A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 栗田真一;几尾·森;罗宾·L·蒂纳 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/50;C23C14/04;C23C14/52;C23C14/54;H01L51/56;H01L51/00;B01J3/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支撑台面 腔室主体 处理腔室 第二基板 第一基板 开口 处理期间 处理系统 单一基板 多个基板 基板支撑 线性对准 支撑基板 台面 双基板 传送 | ||
1.一种用于处理多个基板的处理腔室，所述处理腔室包括：
腔室主体，具有单一基板传送开口；
第一基板支撑台面，设置在所述腔室主体中；和
第二基板支撑台面，设置在所述腔室主体中，每个基板支撑台面经构造以在处理期间支撑基板；
其中所述第一基板支撑台面、所述第二基板支撑台面和所述开口的中心线性对准。
2.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括：
第一对准系统，经构造以将第一掩模对准于设置在所述第一基板支撑台面上的基板之上；和
第二对准系统，可相对于所述第一对准系统独立操作，所述第二对准系统经构造以将掩模对准于设置在所述第二基板支撑台面上的基板之上。
3.如权利要求2所述的处理腔室，其中每个对准系统包括：
一个或多个可视化系统，经构造以查看所述掩模相对于所述基板的对准。
4.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括：
基板支撑件，包括所述第一基板支撑台面和所述第二基板支撑台面。
5.如权利要求4所述的处理腔室，进一步包括：
加热元件，设置在两个基板支撑台面下方。
6.如权利要求4所述的处理腔室，进一步包括：
多个加热元件，其中每个加热元件设置在两个基板支撑台面下方。
7.如权利要求4所述的处理腔室，进一步包括：
第一加热元件，设置在所述第一基板支撑台面下方；和
第二加热元件，设置在所述第二基板支撑台面下方，其中所述第一加热元件不设置在所述第二基板支撑台面下方，并且所述第二加热元件不设置在所述第一基板支撑台面下方。
8.一种用于处理多个基板的系统，包括：
传送腔室；和
多个处理腔室，耦接至所述传送腔室，其中所述多个处理腔室中的至少第一处理腔室包括：
第一基板支撑台面；
第二基板支撑台面，每个基板支撑台面经构造以在处理期间支撑基板；和
第一壁，具有开口，所述开口经构造以允许在所述基板支撑台面与所述传送腔室之间传送基板，其中所述第一基板支撑台面、所述第二基板支撑台面和开口的中心线性对准。
9.如权利要求8所述的系统，进一步包括：
第一对准系统，经构造以将掩模对准于设置在所述第一基板支撑台面上的基板之上；和
第二对准系统，可相对于所述第一对准系统独立操作，所述第二对准系统经构造以将掩模对准于设置在所述第二基板支撑台面上的基板之上。
10.如权利要求9所述的系统，其中每个对准系统包括：
一个或多个可视化系统，经构造以查看所述掩模相对于所述基板的对准。
11.如权利要求8所述的系统，进一步包括：
基板支撑件，包括所述第一基板支撑台面和所述第二基板支撑台面。
12.如权利要求11所述的系统，进一步包括：
加热元件，设置在两个基板支撑台面下方。
13.一种处理多个基板的方法，包括：
经由处理腔室的第一壁中的开口将第一基板和第二基板放置在所述处理腔室中，其中每个基板的长度平行于所述处理腔室的所述第一壁；和
在所述处理腔室中将一个或多个层沉积在所述第一基板和所述第二基板上，其中所述第一基板和所述第二基板在沉积期间是水平地设置的。
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