[发明专利]大面积双基板处理系统

说明书

提供一种用于处理多个基板的处理腔室。处理腔室包括：腔室主体，具有单一基板传送开口；第一基板支撑台面，设置在腔室主体中；和第二基板支撑台面，设置在腔室主体中。每个基板支撑台面经构造以在处理期间支撑基板。第一基板支撑台面、第二基板支撑台面和开口的中心线性对准。

技术领域

本公开内容的实施方式总体涉及用于真空处理大面积基板(例如，LCD、OLED和其他类型的平板显示器)的真空处理系统，并且更特别地涉及在单一处理腔室中处理多个大面积基板。

背景技术

大面积基板用于生产平板显示器(即LCD、OLED及其他类型的平板显示器)、太阳能面板及类似产品。大面积基板一般在一个或多个真空处理腔室中进行处理，在真空处理腔室中执行各种沉积、蚀刻、等离子体处理及其他电路和/或装置制造工艺。真空处理腔室一般通过公共真空传送腔室耦接，公共真空传送腔室包含机器人，机器人在不同真空处理腔室之间传送基板。传送腔室和连接至传送腔室的其他腔室(例如处理腔室)的组合通常称为处理系统。

在大面积基板上的沉积工艺期间，诸如在OLED平板上的薄膜封装，对应的大面积掩模可放置在沉积源与基板之间，以避免材料沉积在基板上的选择位置中。这些掩模可与大面积基板一样大，所以对使用对应的大面积掩模处理这些大面积基板来说，一般需要用于处理系统的大占地面积。随大占地面积而来的是高资本成本(capital cost)和高营运成本(operating cost)。

因此，对以成本有效的方式用对应的大面积掩模来处理大面积基板的改善的系统有持续需求。

发明内容

本公开内容的实施方式总体涉及真空处理大面积基板。在一个实施方式中，提供一种用于处理多个基板的处理腔室。处理腔室包括：腔室主体，具有单一基板传送开口；第一基板支撑台面，设置在腔室主体中；和第二基板支撑台面，设置在腔室主体中。每个基板支撑台面经构造以在处理期间支撑基板。第一基板支撑台面、第二基板支撑台面和开口的中心线性对准。

在另一实施方式中，提供一种用于处理多个基板的系统。系统包括传送腔室和耦接至传送腔室的多个处理腔室。多个处理腔室中的至少第一处理腔室包括第一基板支撑台面和第二基板支撑台面。每个基板支撑台面经构造以在处理期间支撑基板。第一处理腔室还包括第一壁，第一壁具有开口，开口经构造以允许在基板支撑台面与传送腔室之间传送基板。第一基板支撑台面、第二基板支撑台面和开口的中心线性对准。

在另一实施方式中，提供一种处理多个基板的方法。方法包括：经由处理腔室的第一壁中的开口将第一基板和第二基板放置在处理腔室中，其中每个基板的长度实质上平行于处理腔室的第一壁；和在处理腔室中将一个或多个层沉积在第一基板和第二基板上，其中第一基板和第二基板在沉积期间是水平地设置的。

附图说明

为了能详细地了解本公开内容的上述特征，可通过参照实施方式而获得以上简要概述的本公开内容的更特定的描述，一些实施方式示出于附图中。然而，应当注意，附图仅示出了本公开内容的典型实施方式并且因而不视为本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效实施方式。

图1是根据一个实施方式的用于真空处理多个基板的处理系统的俯视横截面图。

图2A是根据一个实施方式的图1的处理系统的处理腔室中的一个处理腔室的俯视横截面图。

图2B是沿着图2A的截面线2B-2B截取的图2A的处理腔室的侧视横截面图。

图2C是根据另一实施方式的一对掩模框架和对应的视觉对准模块的透视图。

图3A-3D示出了根据一个实施方式的图1的处理系统中的示例性基板交换序列。

图4A-4H示出了根据一个实施方式的图1的处理系统中的示例性掩模交换序列。