[发明专利]准分子激光装置有效
申请号: | 201680063144.9 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN108352674B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 藤卷洋介;对马弘朗;池田宏幸;若林理 | 申请(专利权)人: | 极光先进雷射株式会社 |
主分类号: | H01S3/225 | 分类号: | H01S3/225;H01S3/036;H01S3/134 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;于英慧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 准分子激光 装置 | ||
准分子激光装置可以具有:光谐振器;腔室,其包含一对放电电极,配置在光谐振器之间,收容激光气体;电源,其接收触发信号,根据触发信号对一对放电电极施加脉冲状的电压;能量监视器,其计测从光谐振器输出的脉冲激光的脉冲能量;卤素气体分压调节部,其构成为能够执行腔室内收容的激光气体的一部分的排气和向腔室内的激光气体的供给;以及控制部,其取得能量监视器对脉冲能量的计测结果,根据脉冲能量的计测结果检测能量降低,根据能量降低的检测结果对卤素气体分压调节部进行控制,由此,对腔室内的卤素气体分压进行调节。
技术领域
本发明涉及准分子激光装置。
背景技术
近年来,在半导体曝光装置(以下称为“曝光装置”)中,随着半导体集成电路的微细化和高集成化,要求分辨率的提高。因此,从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。一般情况下,在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长为248nm的紫外线的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的激光的ArF准分子激光装置。
作为新时代的曝光技术,曝光装置侧的曝光用镜头与晶片之间被液体充满的液浸曝光已经实用化。在该液浸曝光中,曝光用镜头与晶片之间的折射率变化,因此,曝光用光源的外观的波长缩短。在将ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下,对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光(或ArF液浸光刻)。
KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡宽度较宽,大约为350~400pm。因此,当利用透射KrF和ArF激光这样的紫外线的材料构成投影镜头时,有时产生色差。其结果,分辨率可能降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够忽视色差的程度。因此,为了对谱线宽度进行窄带化,有时在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrow Module:LNM)。下面,将对谱线宽度进行窄带化的激光装置称为窄带化激光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2015/068205号
专利文献2:日本特开2000-306813号公报
专利文献3:美国专利第6330261号
发明内容
本公开的一个观点的准分子激光装置可以具有:光谐振器;腔室,其包含一对放电电极,配置在光谐振器之间,收容激光气体;电源,其接收触发信号,根据触发信号对一对放电电极施加脉冲状的电压;能量监视器,其计测从光谐振器输出的脉冲激光的脉冲能量;卤素气体分压调节部,其构成为能够执行腔室内收容的激光气体的一部分的排气和向腔室内的激光气体的供给;以及控制部,其取得能量监视器对脉冲能量的计测结果,根据脉冲能量的计测结果检测能量降低(dip),根据能量降低的检测结果对卤素气体分压调节部进行控制,由此,对腔室内的卤素气体分压进行调节。
本公开的另一个观点的准分子激光装置可以具有:光谐振器;腔室,其包含一对放电电极,配置在光谐振器之间,收容激光气体;风扇,其在腔室内使激光气体进行循环;电源,其接收触发信号,根据触发信号对一对放电电极施加脉冲状的电压;能量监视器,其计测从光谐振器输出的脉冲激光的脉冲能量;以及控制部,其构成为执行第1动作模式和第2动作模式,在第1动作模式中,将风扇的转速设定为第1转速,将从光谐振器输出的脉冲激光输出到外部,在第2动作模式中,将风扇的转速设定为比第1转速小的第2转速,取得能量监视器对脉冲能量的计测结果,根据脉冲能量的计测结果检测能量降低。
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