[发明专利]银粉及其制造方法

说明书

本发明提供平均粒径小且热收缩率小的银粉及其制造方法。通过使加热至比银的熔点高330～730℃的温度的银熔液落下的同时喷射高压水使其急冷凝固而将银粉末化，制得平均粒径为1～6μm、500℃下的收缩率在8％以下(较好是在7％以下)、平均粒径和500℃下的收缩率的乘积为1～11μm·％(较好是1.5～10.5μm·％)的银粉。

技术领域

本发明涉及银粉及其制造方法，特别是涉及适用于叠层电容器以及层叠电感器的内部电极以及电路基板的导体图案、显示器面板用基板的电极及电路等电子部件用导电性糊料的银粉及其制造方法。

背景技术

一直以来，作为用于叠层电容器以及层叠电感器的内部电极、电路基板的导体图案、显示器面板用基板的电极及电路等电子部件的导电性糊料，使用了通过将银粉与玻璃料一起加在有机载剂中并混炼而制得的导电性糊料。

作为这种导电性糊料用银粉的制造方法，已知通过湿式还原法或雾化法制造银粉的方法(例如，参照专利文献1～3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2002-80901号公报(段落编号0007)

专利文献2：日本专利特开2007-18884号公报(段落编号0007～0012)

专利文献3：日本专利特开平11-163487号公报(段落编号0009)

发明内容

本发明所要解决的技术问题

近年来，为了适应电子部件的小型化、导体图案的高密度化、细线化等，期望可以减小所述导电性糊料用银粉的粒径。

但是，在以往的银粉的制造方法中，如果想要减小银粉的粒径，则使用该导电性糊料用银粉会产生烧成导电性糊料时发生大幅度收缩的问题。

因此，鉴于上述现有问题，本发明的目的在于提供一种平均粒径小且热收缩率小的银粉及其制造方法。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的发明人为了解决上述技术问题而进行了深入研究，结果发现使加热至比银的熔点高330～730℃的温度的银熔液落下的同时喷射高压水使其急冷凝固而将银粉末化，由此能够制造平均粒径小且热收缩率小的银粉，从而完成了本发明。

即,本发明的银粉的制造方法的特征在于,使加热至比银的熔点高330～730℃的温度的银熔液落下的同时喷射高压水使其急冷凝固而将银粉末化。在该银粉的制造方法中，较好是以水压90～160MPa喷射高压水。

另外，本发明的银粉的特征在于，平均粒径为1～6μm、500℃下的收缩率在8％以下，平均粒径与500℃下的收缩率的乘积为1～11μm·％。该银粉的BET比表面积(m²/g)×堆积密度(g/m³)/微晶粒径(m)的值较好是1×10¹³～6×10¹³(m^-2)。另外，银粉中的碳含量较好是在0.1质量％以下。

在本说明书中，“平均粒径”是指通过激光衍射法得到的体积基准平均粒径(累积50％粒径D50)。

发明效果

根据本发明，可制造平均粒径小且热收缩率小的银粉。

附图说明

图1是表示将实施例和比较例的银粉形成为圆柱形的颗粒状并在大气氛围中以10℃/分钟的升温速度从室温加热至800℃时的收缩率的图。

具体实施方式