[发明专利]III族氮化物半导体基板的制造方法及III族氮化物半导体基板

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，具有：

第一工序，在基板上形成第二III族氮化物半导体层；

第二工序，在所述第二III族氮化物半导体层上形成保护层；

第三工序，通过对所述保护层及所述第二III族氮化物半导体层的气相蚀刻在所述第二III族氮化物半导体层上的位错部分选择性地形成凹槽；及

第四工序，以残留有所述凹槽的方式在所述第二III族氮化物半导体层及/或残留的所述保护层上形成第三III族氮化物半导体层，

所述第三工序在含有H₂及NH₃的混合气体环境下进行，并且所述第三工序在将N₂/（H₂+NH₃）流量比设为0～0.5、将NH₃/H₂流量比设为0.001～0.08的条件下进行。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

所述基板为Si基板。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

在所述第一工序之前具有在所述基板上形成第一III族氮化物半导体层的工序。

4.根据权利要求3所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

所述第一III族氮化物半导体层为AlN层。

5.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

所述第二及第三III族氮化物半导体层为GaN层。

6.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

所述保护层为SiNx层或AlN层。

7.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

将在所述第三工序中的基板温度设为900～1200℃。

8.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

将在所述第三工序中的炉内压力设为50～500hPa。

9.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

所述第四工序在以横向生长为优先的条件下进行，之后，变更为以生长速度为优先的条件下进行。

10.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

所述第四工序在以相对于生长面成为30度以上的刻面的形成为优先的条件下进行，之后，变更为以横向生长为优先的条件下进行。

11.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

所述第四工序在形成有III族元素液滴的第一条件下进行，之后，变更为使所述III族元素液滴晶体化的第二条件下进行。

12.根据权利要求11所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

所述第一条件中，将基板温度设为700～1200℃、将V/III比设为0～10。

13.根据权利要求11所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

所述第一条件中，在形成III族氮化物之后，使氮从所述III族氮化物脱离。

14.根据权利要求11所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

所述第二条件中，将基板温度设为900～1500℃、将炉内压力设为300～3000hPa、将V/III比设为500以上。