[发明专利]具有受控制的阻抗负载的高带宽内存应用在审
申请号: | 201680064586.5 | 申请日: | 2016-11-07 |
公开(公告)号: | CN108352178A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 孙卓文;陈勇;房炅模 | 申请(专利权)人: | 英帆萨斯公司 |
主分类号: | G11C11/408 | 分类号: | G11C11/408;G11C5/06;G11C8/18;G11C11/409;H01L23/02;H01L23/64;H01L25/065;H01L25/18 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑;贺亮 |
地址: | 美国加州95134*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 链接区域 微电子组件 微电子封装 寻址总线 电性特征 电性耦合 信号导体 阻抗负载 公差 高带宽 内存 传递 应用 | ||
1.一种微电子组件,其包括:
寻址总线,所述寻址总线包括多个信号导体,其每一者循序地通过第一链接区域、第二链接区域、第三链接区域和第四链接区域进行传递;以及
第一微电子封装和第二微电子封装,所述第一微电子封装包括第一微电子组件和第二微电子组件,且所述第二微电子封装包括第三微电子组件和第四微电子组件,每一个微电子组件是经由各自的链接区域而电性耦合到所述寻址总线,
其中,在所述第一链接区域和所述第二链接区域之间的电性特征是在所述第二链接区域和所述第三链接区域之间的电性特征的相同公差范围内。
2.如权利要求1所述的微电子组件,其中,所述电性特征是电性迹线长度。
3.如权利要求1所述的微电子组件,其中,所述电性特征是电性传播延迟。
4.如权利要求1所述的微电子组件,其中,所述电性特征是所述信号导体的特征阻抗。
5.如权利要求1所述的微电子组件,其中所述电性特征是施加至所述寻址总线的电性负载与被连接于各自的链接区域的微电子组件之间的差值。
6.如权利要求1所述的微电子组件,其中,每一个微电子组件是仅在各自的链接区域处被电性连接到所述寻址总线。
7.如权利要求1所述的微电子组件,其进一步包括:控制器组件,其是电性耦合到所述寻址总线,所述控制器组件是被配置为控制用于在所述寻址总线上传输的所述寻址信号的产生。
8.如权利要求1所述的微电子组件,其中,每一个微电子封装具有基板,在每一个微电子封装中的每一个微电子组件的前表面处具有组件接点,并且所述第一微电子组件和所述第三微电子组件的前表面是面对各自基板的表面,并且所述第二微电子组件和所述第四微电子组件的前表面是分别至少部分地覆盖所述第一微电子组件和所述第三微电子组件的后表面。
9.如权利要求1所述的微电子组件,其中,每一个微电子封装具有基板,其具有一表面且在所述表面上具有基板接点,在每一个微电子封装中的每一个微电子组件的前表面是背对所述表面,并在所述前表面处具有组件接点,所述组件接点是通过在所述前表面上方延伸的导电结构而与所述基板接点耦合,并且其中所述微电子组件的前表面被安排在平行于所述表面的单一平面中。
10.如权利要求1所述的微电子组件,其中,每一个微电子封装具有基板,在每一个微电子封装中的每一个微电子组件的前表面处具有组件接点,且所述前表面是安排在平行于各自的微电子封装的基板的表面的单一平面中,并且每一个微电子组件的组件接点是面对并且接合到在各自的微电子封装的基板的表面处的导电组件。
11.如权利要求1所述的微电子组件,其中,每一个微电子组件具有内存储存数组功能。
12.如权利要求1所述的微电子组件,其中,每一个微电子组件体现用以提供内存储存数组功能的主动装置的数目比提供任何其他功能还多。
13.如权利要求1所述的微电子组件,其中,所述寻址总线被配置成携载可被所述第一微电子封装和所述第二微电子封装内的电路所使用的所有寻址信号。
14.如权利要求1所述的微电子组件,其中,所述寻址总线被配置有写入使能信号、列寻址选通信号和行寻址选通信号。
15.如权利要求1所述的微电子组件,其进一步包括电路板,所述电路板包括所述寻址总线,其中所述第一微电子封装和所述第二微电子封装各自覆盖所述电路板中的相同表面的第一区域和第二区域。
16.一种系统,其包括如权利要求1所述的微电子组件以及电性连接到所述微电子组件的一个或多个其它电子构件。
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