[发明专利]具有受控制的阻抗负载的高带宽内存应用在审
申请号: | 201680064586.5 | 申请日: | 2016-11-07 |
公开(公告)号: | CN108352178A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 孙卓文;陈勇;房炅模 | 申请(专利权)人: | 英帆萨斯公司 |
主分类号: | G11C11/408 | 分类号: | G11C11/408;G11C5/06;G11C8/18;G11C11/409;H01L23/02;H01L23/64;H01L25/065;H01L25/18 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑;贺亮 |
地址: | 美国加州95134*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 链接区域 微电子组件 微电子封装 寻址总线 电性特征 电性耦合 信号导体 阻抗负载 公差 高带宽 内存 传递 应用 | ||
一种微电子组件可包括寻址总线以及第一微电子封装和第二微电子封装,所述寻址总线包括多个信号导体,其每一者是循序地通过第一链接区域、第二链接区域、第三链接区域、和第四链接区域进行传递。所述第一微电子封装可包括第一微电子组件和第二微电子组件,并且所述第二微电子封装可包括第三微电子组件和第四微电子组件。每一个微电子组件可以经由各自的链接区域而电性耦合到所述寻址总线。在所述第一链接区域和所述第二链接区域之间的电性特征可以是在所述第二链接区域和所述第三链接区域之间的电性特征的相同的公差范围内。
背景技术
本申请案的主题是关于微电子封装、电路板,以及并入了一个或多个微电子封装和电路板的微电子组件。
半导体芯片通常是被提供作为单独的、预封装单元。一个标准芯片是具有一个具有大的前表面的扁平、矩形本体,其具有的接点是连接到所述芯片的内部电路。每一个各自的芯片典型是包含于一封装中,所述封装具有的外部端子是连接到芯片的接点。因此,所述端子,即所述封装的外部连接点,是被组构用以电性连接到一个电路板,如一个印刷电路板。在许多传统的设计上,芯片封装所占据电路板的面积比所述芯片本身的面积大得非常多。在本揭示中所使用的具有前面部的扁平芯片,所述“芯片面积”应被理解为指称为所述前面部的面积。
尺寸是在芯片的任何物理安排中的重要考虑点。由于可携式电子装置的迅速发展的关系,对于芯片能有更紧凑的物理安排的需求变得更加强烈。仅举例来说,通常被称为“智能电话”的装置是整合了蜂巢式电话的功能以及强大的数据处理器、内存和附属装置,诸如全球定位系统接收器、电子照相机、和局域网络链接,连同高分辨率的显示器及相关的图像处理芯片。这种装置可以提供多种功能,像是完整的因特网链接性、娱乐功能,包括全分辨率视频、导航、电子银行....等,全部都在一个口袋大小的装置中。
复杂的便携设备需要将多个芯片填装于一个小的空间中。此外,一些芯片的有许多输入和输出连结,通常称为“I/O”。这些I/O必须与其他芯片的I/O进行互连。形成互连的构件不应所述大量增加了所述组件的尺寸。类似的需求同样发生在其他应用中,例如,数据服务器,像是在因特网搜索引擎所使用的数据服务器,其中需要更高的性能和减小的尺寸。
通常会将含有内存储存数组,特别是动态随机存取内存芯片(DRAM)和闪存芯片的半导体芯片封装在单一个或多个芯片封装和组件中。每一个封装具有用于携载信号的电性连接,电源以及在端子和所述封装内的芯片之间的接地端。所述电性连接可以包括不同种类的导体,例如水平型导体,像是迹线、梁式引线...等,其是在与一个芯片中承载接点的表面相对的水平方向上进行延伸;垂直型导体,像是通孔,其是在相对于所述芯片的表面的垂直方向上进行延伸;导线接合,其是在相对于所述芯片的表面的水平和垂直两个方向上进行延伸。
习知的微电子封装可以并入一微电子组件,其是主要配置为提供内存储存数组功能,亦即一微电子组件实现用以提供内存储存数组功能的主动装置的数目比提供任何其他功能还多。所述微电子组件可以是DRAM芯片或这些半导体芯片的堆栈型电性互连组件,或者可以包括DRAM芯片或这些半导体芯片的堆栈型电性互连组件。
基于上述说明,可以在电路板或其它微电子组件的设计上进行某些改良,特别是对于安装封装上且彼此电性互连的电路板或其他微电子组件,以改良其功能的灵活性或电性性能。
发明内容
一种微电子组件可包括寻址总线,所述寻址总线包括多个信号导体,其每一者是循序地通过第一链接区域、第二链接区域、第三链接区域、和第四链接区域进行传递,以及第一和第二微电子封装。所述第一微电子封装可包括第一微电子组件和第二微电子组件,并且所述第二微电子封装可包括第三微电子组件和第四微电子组件。每一个微电子组件可以经由各自的链接区域而电性耦合到所述寻址总线。在所述第一链接区域和第二链接区域之间的电性特征可以落在所述第二链接区域和第三链接区域之间的电性特征相同的公差范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英帆萨斯公司,未经英帆萨斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680064586.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:利用页面打开的存储器刷新操作
- 下一篇:用于减少泄漏的SRAM架构