[发明专利]用于增加有源电感器工作范围和峰值增益的方法

权利要求书

1.一种有源电感器负载，其特征在于，包括：

一对有源电感器，每个有源电感器均包括晶体管和电耦接至所述晶体管的电阻器；和

电耦接至所述一对有源电感器的一对交叉耦接的电容元件，其中：

所述一对有源电感器包括第一和第二晶体管；

所述一对交叉耦接的电容元件包括第一和第二电容元件；

所述第一电容元件电耦接在所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的漏极之间；

所述第二电容元件电耦接在所述第二晶体管的栅极和所述第一晶体管的漏极之间；

所述第一电容元件包括第三晶体管；

所述第三晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极短接；

所述第三晶体管的栅极电耦接至所述第一晶体管的栅极；和

所述第三晶体管的源极或漏极中的至少一个电耦接至所述第二晶体管的漏极。

2.根据权利要求1所述的一种有源电感器负载，其特征在于，每个有源电感器中的晶体管包括鳍式场效应晶体管FinFET。

3.根据权利要求1所述的一种有源电感器负载，其特征在于：

所述第二电容元件包括第四晶体管；

所述第四晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极短接；

所述第四晶体管的栅极电耦接至所述第二晶体管的栅极；和

所述第四晶体管的源极或漏极中的至少一个电耦接至所述第一晶体管的漏极。

4.根据权利要求3所述的一种有源电感器负载，其特征在于，所述第三晶体管和第四晶体管是相同类型的并且具有与所述第一晶体管和第二晶体管相同的结构和尺寸。

5.根据权利要求3所述的一种有源电感器负载，其特征在于，所述第一、第二、第三和第四晶体管是P型金属氧化物半导体PMOS晶体管。

6.根据权利要求3所述的一种有源电感器负载，其特征在于：

所述第三晶体管的结电容约等于所述第一晶体管的栅-漏电容；和

所述第四晶体管的结电容约等于所述第二晶体管的栅-漏电容。

7.根据权利要求1所述的一种有源电感器负载，其特征在于：

所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极电耦接至参考电位；和

所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极电耦接至差分信号网络对以用于加载有源电感器负载。

8.根据权利要求1所述的一种有源电感器负载，其特征在于，每个有源电感器中的电阻器电耦接在每个有源电感器的晶体管的栅极和漏极之间，并且每个有源电感器中的电阻器的电阻大于每个有源电感器中的晶体管的跨导的倒数。

9.根据权利要求1所述的一种有源电感器负载，其特征在于，每个有源电感器均被配置为在包括差分周期信号的至少一个频率的频带中展现电感峰化，其中所述差分周期信号待施加到所述一对有源电感器。

10.一种分配差分周期信号的方法，其特征在于，包括：

在信号网络对上驱动所述差分周期信号；和

用有源电感器负载来加载所述差分周期信号，所述有源电感器负载被配置为在包括所述差分周期信号的至少一个频率的频带中呈现电感峰化，其中所述有源电感器负载包括：

一对有源电感器，每个有源电感器均包括晶体管和电耦接至所述晶体管的电阻器；和

电耦接至所述一对有源电感器的一对交叉耦接的电容元件，其中：

所述一对有源电感器包括第一和第二晶体管；

所述一对交叉耦接的电容元件包括第一和第二电容元件；

所述第一电容元件电耦接在所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的漏极之间；和

所述第二电容元件电耦接在所述第二晶体管的栅极和所述第一晶体管的漏极之间；

所述第一电容元件包括第三晶体管；

所述第三晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极短接；

所述第三晶体管的栅极电耦接至所述第一晶体管的栅极；和

所述第三晶体管的源极或漏极中的至少一个电耦接至所述第二晶体管的漏极。