[发明专利]晶圆的研磨方法及研磨装置有效
申请号: | 201680064805.X | 申请日: | 2016-10-17 |
公开(公告)号: | CN108290269B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 佐藤一弥;桥本浩昌;上滨直纪 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | B24B37/34 | 分类号: | B24B37/34;B24B49/12;H01L21/304 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 方法 装置 | ||
1.一种晶圆的研磨方法,其使用具有样板并可旋转的研磨头,反复进行装载工序、研磨工序以及卸载工序,对多个晶圆进行研磨,所述样板贴合有环状部件及垫板,并形成有凹部,该凹部利用所述环状部件的内周面及所述垫板的与所述环状部件贴合侧的面来收纳并保持晶圆,所述装载工序将晶圆收纳并保持于所述凹部,所述研磨工序一边使可旋转的定盘及所述研磨头旋转一边将保持于所述研磨头的所述晶圆向贴附于所述定盘上的砂布推压来进行研磨,所述卸载工序将结束所述研磨的晶圆从所述样板的凹部取出,所述晶圆的研磨方法的特征在于,
在所述卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前,具有:
对取出了结束所述研磨的晶圆后的所述凹部的深度PDt进行测定的测定工序;
计算测定的所述凹部的深度PDt与用于研磨前的所述样板的凹部的深度PD0的差ΔPD的计算工序;以及
根据算出的所述差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整的调整工序。
2.根据权利要求1所述的晶圆的研磨方法,其特征在于,在所述调整工序中,通过对所述定盘的转速与所述研磨头的转速的相对速度、及研磨压力的任意一方或双方进行调整,来调整研磨时的所述环状部件的磨损量,使得所述差ΔPD变小。
3.根据权利要求1所述的晶圆的研磨方法,其特征在于,在所述调整工序中,通过将所述垫板变更为由于研磨压力而进行塑性变形的量不同的其他垫板,来调整所述垫板的塑性变形量,使得所述差ΔPD变小。
4.根据权利要求2所述的晶圆的研磨方法,其特征在于,在所述调整工序中,通过将所述垫板变更为由于研磨压力而进行塑性变形的量不同的其他垫板,来调整所述垫板的塑性变形量,使得所述差ΔPD变小。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶圆的研磨方法,其特征在于,在所述深度PDt与深度PD0的差ΔPD大于规定的值的情况下实施所述调整工序。
6.一种研磨装置,其具备:可旋转的研磨头、以及贴附于可旋转的定盘上的砂布,所述研磨头具有样板,所述样板贴合有环状部件及垫板,并形成有凹部,该凹部利用所述环状部件的内周面及所述垫板的与所述环状部件贴合侧的面来收纳并保持晶圆,所述研磨装置一边使所述定盘及所述研磨头旋转一边将保持于所述研磨头的所述晶圆相对于所述砂布推压进行研磨,所述研磨装置的特征在于,具备:
测定单元,其能够对取出了结束所述研磨的晶圆后的所述样板的凹部的深度PDt进行测定;
计算单元,其计算测定的所述凹部的深度PDt与用于研磨前的所述样板的凹部的深度PD0的差ΔPD;以及
调整单元,其根据算出的所述差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整。
7.根据权利要求6所述的研磨装置,其特征在于,所述调整单元通过对所述定盘的转速与所述研磨头的转速的相对速度、及研磨压力的任意一方或双方进行调整,来调整研磨时的所述环状部件的磨损量,使得所述差ΔPD变小。
8.根据权利要求6所述的研磨装置,其特征在于,所述调整单元在所述深度PDt与深度PD0的差ΔPD大于规定的值的情况下对所述研磨条件进行调整。
9.根据权利要求7所述的研磨装置,其特征在于,所述调整单元在所述深度PDt与深度PD0的差ΔPD大于规定的值的情况下对所述研磨条件进行调整。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的研磨装置,其特征在于,所述测定单元具有:传感器部,其对取出了结束所述研磨的晶圆的所述样板的凹部的深度PDt进行测定;以及,移动部,其使该传感器部以在对所述凹部的深度PDt进行测定时位于所述样板的下方的方式进行移动。
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