[发明专利]曝光装置、曝光系统、基板处理方法、以及元件制造装置在审

专利信息
申请号: 201680065114.1 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN108604063A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 铃木智也;宫地章;木内徹;加藤正纪;鬼头义昭 申请(专利权)人: 株式会社尼康
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/68;H05K3/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基板 标记位置信息 曝光装置 图案 能量射线 曝光区域 图案曝光 位置调整 投射 支承 基板支承构件 元件形成区域 调整信息 方向配置 基板处理 控制装置 曝光方式 曝光图案 曝光系统 设计信息 元件制造 曝光 曝光部 支承面 长边 遮罩 显微镜 对准 输出 检测 制作
【说明书】:

本发明将基板P沿长边方向搬送并于基板P上曝光电子元件用图案的曝光装置EX;且具备:对准显微镜ALG,其检测形成于基板P上的多个标记的标记位置信息;第1图案曝光部EXH1,其为于基板P上的曝光区域曝光图案,而将与图案的设计信息对应的能量射线根据标记位置信息进行位置调整后进行投射;及控制装置14,其为制作与应曝光于元件形成区域内的图案对应的遮罩图案,而输出与投射至曝光区域的能量射线的位置调整相关的调整信息及标记位置信息中的至少一者。又,曝光装置具备:具有支承面的基板支承构件,该支承面使基板于上述搬送方向弯曲而对其进行支承;及多个曝光部,其沿搬送方向配置,构成为以互不相同的曝光方式将上述图案曝光于上述基板。

技术领域

本发明是关于一种于薄片基板曝光电子元件用图案的曝光装置、曝光系统、基板处理方法、以及元件制造装置。

背景技术

一直以来,于将电子元件形成于半导体基板(硅基板)上时的光刻步骤中,例如,如下述专利文献1所揭示般,使用将电子元件的微细图案转印至基板表面的感光层(光刻胶剂)的曝光装置。

于专利文献1中,揭示有如下技术:于在1片基板上转印元件图案时,使用具有高处理量的步进式曝光机(使用遮罩基板的曝光装置)、及具有超越光的优异解像能力的电子束曝光装置两者,通过步进式曝光机曝光电子元件的粗糙图案部分,通过电子束曝光装置曝光精细图案部分。

另一方面,近年来,于液晶显示元件或有机EL显示元件、或者触控面板或高密度安装元件等的制造中,使用将包含显示单元、感测器电极、薄膜晶体管、IC芯片、发光单元、及配线层等中的任一者的电子元件单元形成于挠性基板上的步骤。于该步骤中,有时亦包括使用曝光装置于由塑料、高分子树脂等所构成的挠性基板上的感光层进行图案转印的光刻步骤。然而,于以挠性基板为被曝光对象的图案转印中,易于产生因挠性基板的伸缩而导致的二维变形。因此,即便为获得高处理量(量产性),而使用根据设计数据所制成的遮罩实施曝光步骤,对已形成于挠性基板上的基底图案层重合曝光新图案时的重合精度亦会显著降低。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开平10-303125号公报

发明内容

本发明的第1态样是一种曝光装置,其将可挠性长条状薄片基板沿长边方向进行搬送,并于上述薄片基板上曝光电子元件用图案;且具备:标记检测部,其检测形成于上述薄片基板上的多个标记的标记位置信息;第1图案曝光部,其为于应形成上述电子元件的上述薄片基板上的元件形成区域曝光上述图案,而将与上述图案的设计信息对应的能量射线根据上述标记位置信息进行位置调整后进行投射;及输出部,其为制作与应曝光于上述元件形成区域内的上述图案对应的遮罩图案,而输出与投射至上述元件形成区域的上述能量射线的上述位置调整相关的调整信息及上述标记位置信息中的至少一者。

本发明的第2态样是一种曝光系统,其将可挠性长条状薄片基板沿长边方向进行搬送,并于上述薄片基板上曝光电子元件用图案;且具备:上述第1态样的曝光装置;实际图案信息产生部,其根据上述输出部所输出的上述调整信息及上述标记位置信息中的至少一者修正上述设计信息,为制作与应曝光于上述元件形成区域内的上述图案对应的遮罩图案而产生实际图案信息;及遮罩制作装置,其使用根据设计信息而投射能量射线的第3图案曝光部制作上述遮罩图案;上述遮罩制作装置保持供形成上述遮罩图案的遮罩用基板,将上述实际图案信息作为上述设计信息而提供至上述第3图案曝光部,向上述遮罩用基板上投射与上述实际图案信息对应的能量射线,藉此将与上述实际图案信息对应的上述遮罩图案形成于上述遮罩用基板上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康,未经株式会社尼康许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680065114.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top