[发明专利]经烧结的、多晶的、扁平构造的、几何图形结构化的陶瓷研磨元件，其制造方法和用途

权利要求书

1.经烧结的、多晶的、扁平构造的、几何图形结构化的陶瓷研磨元件，其中所述研磨元件为经烧结的成型体，所述成型体具有

-均质微结构，其中构造所述均质微结构的晶体的中值直径小于10μm，

-在整个成型体上均一构成的化学组成和

-统一的几何图形结构，

其中所述成型体具有第一表面和与第一表面相对并与其平行设置的第二表面，其中这两个表面通过厚度介于50μm和2000μm之间的侧壁彼此相隔，其中所述研磨元件的直径与厚度的比大于30，其中所述研磨元件是穿孔的陶瓷体，所述陶瓷体的穿孔具有均一几何图形结构，其具有几何图形形状的开口，其特征在于，所述研磨元件的开口与实心部分的体积比在研磨元件的整个可使用直径上是恒定的。

2.根据权利要求1的经烧结的、多晶的、扁平构造的、几何图形结构化的陶瓷研磨元件，

其特征在于，

所述研磨元件的化学组成基于氧化铝和/或其它化合物，所述化合物选自下组：选自Al、B、Si、Zr和Ti的至少一种的碳化物、氧化物、氮化物、碳氧化物、氧氮化物和碳氮化物。

3.根据权利要求1或2的经烧结的、多晶的、扁平构造的、几何图形结构化的陶瓷研磨元件，其特征在于，所述研磨元件是圆片或圆形片段。

4.根据权利要求1或2的经烧结的、多晶的、扁平构造的、几何图形结构化的陶瓷研磨元件，其特征在于，

所述研磨元件是多孔陶瓷体。

5.根据权利要求1的经烧结的、多晶的、扁平构造的、几何图形结构化的陶瓷研磨元件，其特征在于，

所述研磨元件的化学组成包含至少50％重量的氧化铝和任选的一种或多种选自下组的氧化物：SiO₂、MgO、TiO₂、Cr₂O₃、MnO₂、Co₂O₃、Fe₂O₃、NiO、Cu₂O、ZnO、ZrO₂和稀土氧化物。

6.制造根据权利要求1至4任一项的经烧结的、多晶的、扁平构造、几何图形结构化的陶瓷研磨元件的方法，其包括以下步骤：

-制备陶瓷前体材料的可成形物料；

-由所述可成形物料成型用于扁平构造的、几何图形结构化的研磨元件的前体；和

-煅烧并烧结所述前体，以获得扁平构造、几何图形结构化的陶瓷研磨元件。

7.根据权利要求6的制造经烧结的、多晶的、扁平构造、几何图形结构化的陶瓷研磨元件的方法，

其特征额外在于以下步骤：

-在分散剂的存在下通过湿法研磨具有中值粒度小于1μm的α-氧化铝制备α-氧化铝在水中的分散液；

-向所述分散液添加有机粘结剂和任选的增塑剂和/或消泡剂；

-混合所述分散液数小时，以获得稳定的胶状分散液；

-将所述稳定的胶状分散液流延成膜层，厚度为直至3mm；

-干燥所述流延膜层；

-冲裁形成扁平构造、几何图形结构化的陶瓷研磨元件的前体；和

-煅烧和烧结所述前体，以获得扁平构造、几何图形结构化的陶瓷研磨元件。

8.根据权利要求1至4任一项的经烧结的、多晶的、扁平构造、几何图形结构化的陶瓷研磨元件的用途，其用于制造合成树脂粘结的砂轮片。

9.包含权利要求1至4任一项的经烧结的、多晶的、扁平构造、几何图形结构化的陶瓷研磨元件的切割片。