[发明专利]有机EL器件的制造方法及有机EL器件

权利要求书

1.一种有机EL器件的制造方法，其特征在于，包括：

通过涂布法在具备基板、围堰及第一电极的带围堰的基板的所述第一电极上形成有机发光层的工序，其中，所述围堰设置于所述基板且用于规定像素，所述第一电极在所述基板中设置于与所述像素对应的像素区域上；

算出所述有机发光层的平坦度的工序；

判定所述有机发光层的平坦度是否为期望的平坦度以上的工序；以及

在所述有机发光层上形成第二电极的工序，

在算出所述平坦度的工序中，将所述有机发光层的最小厚度设为d，将从所述基板的厚度方向观察时为(d+规定值)以下的所述有机发光层的面积设为A1，将所述像素区域的面积设为A2，将所述平坦度设为α时，通过下述式(1)算出所述平坦度，

α＝(A1/A2)×100···(1)

在进行判定的所述工序中所述平坦度为期望的值以上的情况下，实施形成所述第二电极的工序，

在进行判定的所述工序中所述平坦度小于期望的值的情况下，在形成所述有机发光层的工序中，变更所述有机发光层的形成条件来形成所述有机发光层，

其中，d、(d+规定值)的单位为nm。

2.根据权利要求1所述的有机EL器件的制造方法，其中，

所述规定值为2以上且15以下。

3.根据权利要求1所述的有机EL器件的制造方法，其中，

所述规定值为10。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机EL器件的制造方法，其中，

所述期望的平坦度基于针对亮度分布率算出用像素而由所述式(1)规定的平坦度与所述亮度分布率算出用像素的亮度分布率的关系来设定，

所述亮度分布率为在所述亮度分布率算出用像素中具有最大亮度的70％以上的亮度的区域的面积占所述亮度分布率算出用像素的面积的比例。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的有机EL器件的制造方法，其中，

所述期望的平坦度为70％。

6.根据权利要求4所述的有机EL器件的制造方法，其中，

所述期望的平坦度为70％。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的有机EL器件的制造方法，其中，

所述有机EL器件的制造方法还包括在所述带围堰的基板的所述第一电极上形成包括至少一个有机层的有机结构体的工序，

在形成所述有机发光层的工序中，在所述有机结构体上形成所述有机发光层。

8.根据权利要求4所述的有机EL器件的制造方法，其中，

所述有机EL器件的制造方法还包括在所述带围堰的基板的所述第一电极上形成包括至少一个有机层的有机结构体的工序，

在形成所述有机发光层的工序中，在所述有机结构体上形成所述有机发光层。

9.根据权利要求5所述的有机EL器件的制造方法，其中，

所述有机EL器件的制造方法还包括在所述带围堰的基板的所述第一电极上形成包括至少一个有机层的有机结构体的工序，

在形成所述有机发光层的工序中，在所述有机结构体上形成所述有机发光层。

10.根据权利要求6所述的有机EL器件的制造方法，其中，

所述有机EL器件的制造方法还包括在所述带围堰的基板的所述第一电极上形成包括至少一个有机层的有机结构体的工序，

在形成所述有机发光层的工序中，在所述有机结构体上形成所述有机发光层。

11.根据权利要求7所述的有机EL器件的制造方法，其中，

在算出所述平坦度的工序中，

根据所述有机结构体的厚度分布与在所述有机结构体上形成所述有机发光层而成的层叠体的厚度分布之差来算出所述有机发光层的厚度分布，

基于所述有机发光层的厚度分布来算出所述平坦度。