[发明专利]具有废气分解器的基板处理设备及其废气处理方法有效
申请号: | 201680065212.5 | 申请日: | 2016-10-04 |
公开(公告)号: | CN108352299B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 徐东源;金宪度;黄喆周 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 废气 分解 处理 设备 及其 方法 | ||
1.一种基板处理设备,包括:
处理室,包括对基板进行处理的空间;
基板支撑装置,安装在所述处理室中,所述基板设置在所述基板支撑装置上;
源气体分配装置,将源气体仅分配到源气体区域;
反应气体分配装置,将反应气体仅分配到反应气体区域;
源气体排气管路,引导所述处理室的源气体排出到所述处理室外部;
反应气体排气管路,引导所述处理室的反应气体排出到所述处理室外部;
排气泵,与所述源气体排气管路和所述反应气体排气管路中的每一者连通,以将源气体和反应气体分别排出到所述源气体排气管路和所述反应气体排气管路;以及
废气分解模块,安装在所述处理室与所述排气泵之间的所述源气体排气管路中,以分解经由所述源气体排气管路流入到所述排气泵中的源气体,
其中,所述源气体排气管路的一端与所述源气体区域连通,所述源气体排气管路的另一端与所述排气泵相通,
其中,所述反应气体排气管路的一端与所述反应气体区域连通,所述反应气体排气管路的另一端与所述排气泵连通,
其中,所述废气分解模块安装在所述源气体排气管路的所述一端与所述源气体排气管路的所述另一端之间的所述源气体排气管路中,
其中,由所述废气分解模块分解的所述源气体与所述反应气体混合。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述废气分解模块是等离子体发生器或加热源气体的热源。
3.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,被所述废气分解模块分解的源气体与所述反应气体排气管路的反应气体混合并流入到所述排气泵中。
4.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,被所述废气分解模块分解的源气体在所述排气泵中与所述反应气体排气管路的反应气体混合。
5.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,
所述源气体排气管路的源气体的配体被所述废气分解模块分解,并且
所述源气体排气管路的配体和配体已被分解的源气体通过与从供给到所述源气体排气管路的O2、N2O和O3中选出的一种材料反应而变稳定,并且流入到所述排气泵中。
6.一种基板处理设备的废气处理方法,排出并处理被分配到在所述基板上沉积薄膜的处理室的源气体和反应气体中的在沉积工艺中未使用的源气体和反应气体,所述废气处理方法包括:
利用排气泵将源气体和反应气体分别排出到源气体排气管路和反应气体排气管路,所述源气体排气管路的一端与所述处理室连通,所述源气体排气管路的另一端与所述排气泵连通,所述反应气体排气管路的一端与所述处理室连通,所述反应气体排气管路的另一端与所述排气泵连通;
分解流入到所述源气体排气管路中的所述源气体;以及
经由所述排气泵的内部排出混合气体,所述混合气体通过所述源气体排气管路的被分解的源气体与所述反应气体排气管路的反应气体混合而产生,
其中,所述源气体排气管路的所述一端与设置在所述处理室中的源气体区域连通,所述源气体排气管路的所述另一端与所述排气泵相通,
其中,所述反应气体排气管路的所述一端与设置在所述处理室中的反应气体区域连通,所述反应气体排气管路的所述另一端与所述排气泵连通,
其中,废气分解模块安装在所述源气体排气管路的所述一端与所述源气体排气管路的所述另一端之间的所述源气体排气管路中,
其中,由所述废气分解模块分解的所述源气体与所述反应气体混合成为所述混合气体。
7.根据权利要求6所述的废气处理方法,其中,所述源气体排气管路的源气体被等离子体发生器产生的等离子体分解,或者通过加热被分解。
8.根据权利要求7所述的废气处理方法,其中,所述源气体排气管路的源气体的配体被分解。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周星工程股份有限公司,未经周星工程股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680065212.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:底部处理
- 下一篇:半导体装置处理方法、系统及设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造