[发明专利]具有废气分解器的基板处理设备及其废气处理方法有效

专利信息
申请号: 201680065212.5 申请日: 2016-10-04
公开(公告)号: CN108352299B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 徐东源;金宪度;黄喆周 申请(专利权)人: 周星工程股份有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/67;H01L21/60
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 李琳;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 废气 分解 处理 设备 及其 方法
【说明书】:

发明公开了一种基板处理设备及废气处理方法。在根据本发明的基板处理设备和废气处理方法中,废气分解模块可以分解从处理室排出的源气体以分解源气体的配体。此外,配体和配体已被分解的源气体通过与分别供给的O2、N2O或O3反应,可以处于稳定状态,然后可以变为包含与它们混合的反应气体的混合气体。随后,混合气体可以流入到排气泵中并且可以排出。可替换地,配体和源气体可以与反应气体混合并且可以排出。因此,配体和配体已被分解的源气体可能不与反应气体或者在排气泵中产生的热反应,并且因此,流入到排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不沉积在排气泵的内表面上。此外,堆积在排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不会爆炸。

技术领域

本发明涉及一种具有废气分解器的基板处理设备及其废气处理方法,其分解从处理室排出的源气体以防止排气泵被废气损坏。

背景技术

半导体装置、平板显示装置或太阳能电池通过在诸如硅晶片或玻璃的基板上沉积源材料的薄膜沉积工艺、曝光或覆盖通过使用光敏材料沉积的薄膜中选定区域的光刻工艺、以及去除选定区域中的薄膜以执行期望的图案化的蚀刻工艺来制造。

薄膜沉积工艺的例子包括物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺和原子层沉积(ALD)工艺。

薄膜沉积工艺通过使用各种材料在基板上沉积薄膜。在这种情况下,在沉积工艺中仅使用少量的源气体,所述源气体是流入包括用于对基板进行处理的空间的处理室中的前体,并且大部分源气体与在沉积工艺中产生的副产物一起被排出到处理室外部。

在沉积工艺中未使用的处理室的源气体和副产物通过排气管路和排气泵被排出到处理室外部。也就是说,在沉积工艺中未使用的处理室的源气体和副产物被排气泵抽出并经由排气管路和排气泵被排出到排气泵的外部。

此外,在沉积工艺中未使用的源气体通过与排气泵中产生的热和从处理室中排出的反应气体反应而被分解,并且分解的源气体沉积在排气泵的内表面上以形成薄膜。在这种情况下,构成排气泵的元件之间的间隙改变,由于这个原因,排气泵受损。

当低温且被排出到处理室外部的源气体堆积在排气泵中时,源气体可以由于排气泵中产生的热而爆炸。

发明内容

技术问题

本发明的一个方面旨在提供一种具有废气分解器的基板处理设备及其废气处理方法,其解决了现有技术的所有上述问题。

本发明的另一方面旨在提供一种具有废气分解器的基板处理设备及其废气处理方法,其分解从处理室中排出并且在沉积工艺中未使用的源气体,并且经由排气泵排出被分解的源气体,从而防止排气泵被源气体损坏并完全防止源气体爆炸。

技术方案

一种基板处理设备,包括:处理室,包括对基板进行处理的空间;基板支撑装置,安装在所述处理室中,所述基板设置在所述基板支撑装置上;源气体分配装置,将源气体分配到所述基板;反应气体分配装置,将反应气体分配到所述基板;源气体排气管路,引导所述处理室的源气体排出到所述处理室外部;反应气体排气管路,引导所述处理室的反应气体排出到所述处理室外部;排气泵,与所述源气体排气管路和所述反应气体排气管路中的每一者连通,以将所述源气体和所述反应气体分别排出到所述源气体排气管路和所述反应气体排气管路;以及废气分解模块,安装在所述处理室与所述排气泵之间的所述源气体排气管路中,以分解经由所述源气体排气管路流入到所述排气泵中的源气体。

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