[发明专利]基于银合金的溅射靶

权利要求书

1.一种溅射靶，其包含银合金，所述银合金包含：

-基于所述银合金的总重量，0.01至2重量％的选自铟、锡、锑和铋中的第一元素，和

-基于所述银合金总重量，0.01至2重量％的钛，

并且

-具有不大于55μm的平均晶粒尺寸。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述银合金包含选自铟、锡、锑和铋中的一种或多种其它元素，条件是所述第一元素和所述其它元素彼此不同，基于所述银合金的总重量，所述其它元素或所述其它元素中的每一种各自优选以0.01至2重量％的量存在。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，所述银合金包含所述第一元素和钛，以及任选的至少一种所述其它元素，余下的为银和不可避免的杂质。

4.根据前述权利要求中任一项所述的溅射靶，其中，所述银合金具有小于35％的晶粒尺寸变化，和/或所述银合金的晶粒具有至少40％的平均轴比。

5.根据前述权利要求中任一项所述的溅射靶，其中，所述银合金包含含Ti的夹杂物，并且以0.1至5个含Ti的夹杂物/μm²存在。

6.根据前述权利要求中任一项所述的溅射靶，其中，所述含Ti的夹杂物的平均尺寸小于5μm，并且优选小于2μm。

7.根据前述权利要求中任一项所述的溅射靶，其中，所述银合金的第二高强度的X射线衍射反射与最高强度的X射线衍射反射的强度比率的变化小于20％。

8.一种用于制备根据权利要求1至7中任一项所述的溅射靶的方法，其中，

-使得包含银，选自铟、锡、锑和铋中的第一元素和钛的熔体固化从而得到成形体，和

-将所述成形体加热至至少200℃的成型温度，然后经历至少一个成型步骤，以及所述成形体进一步经历至少一个再结晶步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述成型步骤为轧制步骤、锻造步骤、压制步骤、拉伸步骤、挤出步骤或冲压步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述轧制步骤为横向轧制步骤。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，其中，以至少1s^-1的成型速率来进行各成型步骤。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法，其中，使所述成形体经历至少一个动态再结晶步骤和/或至少一个静态再结晶步骤。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在成型过程中进行所述动态再结晶步骤和/或在最后的成型步骤之后进行静态再结晶步骤。

14.根据权利要求8至13中任一项所述的方法，其中，在所述第一成型步骤之前所述成形体被加热到的成型温度为至少600℃，和/或通过在至少650℃的退火温度下退火的方式在最后的成型步骤之后进行静态再结晶。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其中，在所述静态再结晶步骤之后使所述成形体淬火。

16.一种反射层，其是使用根据权利要求1至7中任一项所述的溅射靶制备的，其中，所述反射层在250℃老化之后具有<10μΩcm的电阻率。

17.一种反射层，其是使用根据权利要求1至7中任一项所述的溅射靶制备的，其中，在300℃下老化之后所述反射层经历不大于35％的反射的下降。

18.一种反射层，其是使用根据权利要求1至7中任一项所述的溅射靶制备的，其中，所述反射层具有小于2的表面糙度比率RR。