[发明专利]检测和校正破坏性读取的非易失性存储器中的错误的方法和设备有效
申请号: | 201680066019.3 | 申请日: | 2016-11-21 |
公开(公告)号: | CN108292520B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 朱玉明;马尼什·戈埃尔;张赛 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 校正 破坏性 读取 非易失性存储器 中的 错误 方法 设备 | ||
1.一种破坏性读取的非易失性存储器DRNVM,其包括:
组织为数据行的DRNVM单元的阵列,所述数据行被编码为将存储于所述DRNVM内的并行列中的码字,其中每一码字包括多个码字符号,且每一码字的仅一个符号被存储于每一行中;
读取-恢复逻辑,其耦合至所述DRNVM单元的阵列、且经配置以从所述DRNVM单元的行破坏性地读取数据且将所述数据恢复到所述DRNVM单元的所述行;以及
错误校正逻辑,其耦合至所述读取-恢复逻辑、且经配置以基于所述DRNVM单元的相同列中的所述码字符号来校正所述码字符号的一列中的错误。
2.根据权利要求1所述的DRNVM,其进一步包括:
电力控制逻辑,其耦合至所述DRNVM单元的阵列、且经配置以在所述读取-恢复逻辑已经完成读取-恢复周期之后响应于断电命令而从所述DRNVM单元的阵列移除电力;
状态逻辑,其耦合至所述电力控制逻辑、且经配置以在所述DRNVM单元的阵列的操作期间存储第一断电标记、且响应于所述断电命令的完成存储第二断电标记;以及
控制逻辑,其耦合至所述错误校正逻辑、且经配置以检测何时向所述DRNVM单元的阵列施加电力、且当断电状态为所述第一断电标记时响应于正被施加至所述DRNVM单元的阵列的电力而致使所述错误校正逻辑在码字符号的每一列上执行错误校正。
3.根据权利要求1所述的DRNVM,其进一步包括编码逻辑,所述编码逻辑耦合至所述读取-恢复逻辑、且经配置以产生针对所述码字符号的列的相应错误校正码符号。
4.根据权利要求3所述的DRNVM,其中所述编码逻辑为码字符号的每一列创建里德-所罗门Reed-Solomon码。
5.一种操作破坏性读取的非易失性存储器DRNVM的方法,所述方法包括:
在所述DRNVM中存储数据,所述DRNVM包括组织为数据行的DRNVM单元的阵列,所述数据行被编码为将存储于所述DRNVM内的并行列中的码字,其中每一码字包括多个码字符号,且每一码字的仅一个符号被存储于每一行中;以及
编码码字符号的所述列以产生其相应错误校正码符号;以及
将所有的所述错误校正码符号存储在所述DRNVM单元的单一行中。
6.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括在向所述DRNVM施加电力后启动所述DRNVM,其中启动所述DRNVM包括检查状态标记以及当第一状态标记指示DRNVM电力失败事件的发生时在码字符号的每一列上执行错误校正解码,所述DRNVM电力失败事件不是针对所述DRNVM的经命令断电。
7.根据权利要求6所述的方法,其中启动所述DRNVM包括当第二状态标记指示所述DRNVM电力失败事件是针对所述DRNVM的经命令断电时不在码字符号的每一列上执行所述错误校正解码。
8.根据权利要求7所述的方法,其进一步包括在启动所述DRNVM之前将所述状态标记设置为所述第一状态标记。
9.根据权利要求7所述的方法,其进一步包括:
在经寻址的数据行上执行读取-恢复周期;
接收对所述DRNVM断电的命令;
在完成读取-恢复周期后设置所述第二状态标记;以及
从所述DRNVM移除电力。
10.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括:
将数据字写入到经寻址的数据行;编码码字符号的所述列,以响应于写入所述数据字而产生其相应新的错误校正码符号;以及
将所有的所述新的错误校正码符号存储于奇偶校验缓冲器中,所述奇偶校验缓冲器与所述DRNVM单元的所述阵列相分离。
11.根据权利要求5所述的方法,其中编码码字符号的每一列使用里德-所罗门Reed-Solomon码。
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