[发明专利]检测和校正破坏性读取的非易失性存储器中的错误的方法和设备

说明书

在本发明所描述的检测和校正破坏性读取的非易失性存储器(104)中的错误的方法和设备(102)的实例中，所述方法及设备(102)响应于稳定化电源而确定存储在非易失性存储器(104)中的状态标记。在所述状态标记不正常的实例中，所述方法和设备(102)对编码在所述破坏性读取的非易失性存储器(104)中的错误校正码进行解码。

技术领域

本文大体上涉及破坏性读取的存储器，且更具体地说，涉及检测和校正破坏性读取的非易失性存储器中的错误的方法和设备。

背景技术

近年来，随着技术减小尺寸，低功率的计算应用已变得更有价值。非易失性存储器经常用于低功率计算应用中，这是因为非易失在断电时保存数据。一些类型的非易失性存储器具有破坏性的读取操作，其需要被读取的值被写回存储器。如果在读取或写回操作期间电力丢失，那么最初存储在存储器中的值变得变形、损坏或者不再可用。

发明内容

在所描述的检测和校正破坏性读取的非易失性存储器中的错误的方法和设备的实例中，方法及设备响应于稳定化电源确定存储在非易失性存储器中的状态标记。在所述状态标记不正常的实例中，所述方法和设备对编码在所述破坏性读取的非易失性存储器中的错误校正码进行解码。

附图说明

图1是包含与实例存储器阵列通信的实例控制器的实例装置的框图。

图2是包含实例解码器和实例编码器的图1的实例控制器的框图。

图3是说明图1的实例存储器的框图。

图4是图2的实例编码器的框图。

图5是图2的的实例解码器的框图。

图6是实施图1-2的实例控制器的实例指令的流程图。

图7是实施图4的实例解码器的实例指令的流程图。

图8是实施图5的实例编码器的实例指令的流程图。

图9是实施图6-8的实例流程图的实例处理器平台的框图。

具体实施方式

本文中所公开的实例方法和设备涉及校正数据符号错误，所述错误在因破坏性读取的非易失性存储器中的读取、写入和/或写回操作期间的电力变化事件而导致的存储器毁坏(例如，破坏)时出现。如本文所用，术语“电力变化事件”定义为包含电压、电流、电力等中的任何波动，诸如电力完全损失(例如，市电中断)、电力减小(例如，电压过低)、电力增加(例如，电力电涌)，或从电力的恒定供应的其它波动。

在诸如可通过处理器来实行的典型数字装置通电过程期间，装置连接到电源，允许电源稳定化，从非易失性存储器启动，且开始正常操作。如果在通电过程期间发生电力变化事件，那么装置重复通电过程。如果非易失性存储器的内容不被这种电力变化事件影响，那么通电过程正常地重新开始。然而，如果所述装置使用破坏性读取的非易失性存储器(destructive read non-volatile memory，“DRNVM”)，那么在电力变化事件期间，DRNVM的内容可变形、受影响、损坏或者毁坏。这是因为破坏性读取非易失性存储器需要在读取值时将值写回存储器。因此，如果在破坏性读取的非易失性存储器尝试写回先前读取的值时发生电力变化事件，那么破坏性读取的非易失性存储器将不具有完成写回的必需的电力，且错误将被引入到破坏性读取的非易失性存储器中。