[发明专利]气体阻隔膜

说明书

本发明的课题是提供气体阻隔性良好、辊卷取时的表背面接触引起的气体阻隔性的降低小、并且裁切时的裂纹的产生得到了抑制的气体阻隔膜。该气体阻隔膜的特征在于，在通过X射线光电子分光法得到的光谱中，将气体阻隔层的层厚方向的由来自硅原子、氧原子和碳原子的峰强度的比率所换算的组成比的合计量设为100％时，基于与碳原子有关的C1s的波形解析的由来自于C‑C、C＝C和C‑H键的峰强度的比率所换算的组成比的比例X(％)满足：将上述气体阻隔层的最表面的层厚设为0％、将与上述基材的界面的层厚设为100％时层厚5～30％区域中的上述比例X的最大值(％)为5～41(％)的范围内。

技术领域

本发明涉及气体阻隔膜。更详细地说，本发明涉及气体阻隔性良好、辊卷取时的表背面接触引起的气体阻隔性的降低小、并且裁切时的切断面的裂纹的产生得到了抑制的气体阻隔膜。

背景技术

以往，在塑料基板、膜的表面形成了包含氧化铝、氧化镁、氧化硅等金属氧化物的薄膜(气体阻隔层)的气体阻隔膜在食品、医疗用品等领域中已用于将物品包装的用途。通过使用气体阻隔膜，从而能够防止水蒸汽、氧等气体引起的物品的变质。

近年来，对于这样的防止水蒸汽、氧等的透过的气体阻隔膜，迫切希望向有机电致发光(electroluminescence：EL)元件、液晶显示(Liquid Crystal Display：LCD)元件等电子器件中发展，进行了大量的研究。在这些电子器件中，要求高的气体阻隔性，例如与玻璃基材相匹敌的气体阻隔性。

作为制造比玻璃基材富于柔软性的气体阻隔膜的方法，例如使用CVD法(ChemicalVapor Deposition：化学气相沉积法、化学蒸镀法)。

例如，在专利文献1中公开了通过采用等离子体化学气相沉积法形成了的氧化碳化硅(SiOC)膜，气体阻隔性、柔性和抗冲击性提高。

但是，存在着专利文献1中记载的气体阻隔膜的气体阻隔性并不充分的问题。另外，特别是将电子器件密封时，将大小裁切为所期望的宽度和形状时，以切断面的微小的裂纹的产生为起点，对于折曲等外力，裂纹向整个膜传播，容易发生显著的气体阻隔性的降低，存在着由于裂纹的产生而使具有气体阻隔性能的有效面积降低的问题。

另外，在专利文献2中记载了通过在层厚方向上使碳原子、硅原子和氧原子落入特定的比率的范围内从而在取得致密的结构的同时使对于裂纹的耐久性提高的气体阻隔膜。

但是，这样的气体阻隔膜由于层厚方向的致密度、强度比较均一，因此存在着如下问题：对于辊卷取时、裁切时的从表面、侧面受到的应力，没有获得充分的强度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-73430号公报

专利文献2：日本特开2014-00782号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明鉴于上述问题·状况而完成，其解决课题是提供气体阻隔性良好、辊卷取时的表背面接触引起的气体阻隔性的降低小、并且裁切时的切断面的裂纹的产生得到了抑制的气体阻隔膜。

用于解决课题的手段

本发明人为了解决上述课题，在对上述问题的原因等进行研究的过程中，发现在基材上具有至少含有硅原子、氧原子和碳原子的气体阻隔层的气体阻隔膜中通过使气体阻隔层的最表面附近的规定的区域中的来自于C-C、C＝C和C-H键的碳原子的比例成为规定的范围内，从而能够提供气体阻隔性良好、辊卷取时的表背面接触引起的气体阻隔性的降低小并且裁切时的切断面的裂纹的产生得到了抑制的气体阻隔膜，完成了本发明。

即，本发明涉及的上述课题通过以下的手段解决。