[发明专利]具有涂覆于圆柱形对称元件上的目标材料的激光产生的等离子体光源

说明书

本发明针对于具有涂覆于圆筒的外表面上的例如氙等目标材料的激光产生的等离子体光源。实施例包含用于使所述圆筒旋转的轴承系统，所述轴承系统具有用于减少污染物材料及/或轴承气体到LPP室中的泄漏的结构。揭示用于涂覆及补充所述圆筒上的目标材料的注入系统。揭示用于准备所述圆筒上的目标材料表面的刮刷器系统，所述准备是例如使所述目标材料表面平滑。还揭示用于冷却及维持所述圆筒及上覆于所述圆筒上的壳体的温度的系统。

相关申请案的交叉参考

本申请案涉及且主张来自以下所列申请案(“相关申请案”)的最早可用有效申请日期的权益(例如，主张除临时专利申请案之外的最早可用优先权日期或依据35USC§119(e)主张临时专利申请案、相关申请案的任一及所有父代申请案、祖父代申请案、曾祖父代申请案等的权益)。

相关申请案：

出于USPTO非法定要求的目的，本申请案构成以下美国临时专利申请案的正式(非临时)专利申请案：所述美国临时专利申请案标题为具有涂覆于圆柱形对称元件上的目标材料的激光产生的等离子体光源(LASER PRODUCED PLASMA LIGHT SOURCE HAVING ATARGET MATERIAL COATED ON A CYLINDRICALLY-SYMMETRIC ELEMENT)，发明人为阿列克谢库里特森(Alexey Kuritsyn)、布莱恩阿尔(Brian Ahr)、鲁迪加西亚(Rudy Garcia)、弗兰克希莱塞(Frank Chilese)及奥列格科迪金(Oleg Khodykin)，于2015年11月16日提出申请，申请序列号为62/255,824。

技术领域

本发明一般来说涉及基于等离子体的光源，所述基于等离子体的光源用于产生以下范围内的光：真空紫外线(VUV)范围(即，具有约100nm到200nm的波长的光)、极紫外线(EUV)范围(即，具有介于10nm到124nm的范围内的波长的光且包含具有13.5nm的波长的光)，及/或软性X射线范围(即，具有约0.1nm到10nm的波长的光)。本文中所描述的一些实施例是尤其适于在计量及/或掩模检查活动(例如光化掩模检查且包含空白或经图案化掩模检查)中使用的高亮度光源。更一般来说，本文中所描述的基于等离子体的光源也可用作(直接或在具有适当修改的情况下)用于图案化芯片的所谓的大批量制造(HVM)光源。

背景技术

基于等离子体的光源(例如激光产生的等离子体(LPP)源)可用于产生用于例如缺陷检查、光学光刻或计量等应用的软性X射线、极紫外线(EUV)及/或真空紫外线(VUV)光。总而言之，在这些等离子体光源中，由具有适当发射线或发射带元素(例如氙、锡、锂或其它)的目标材料形成的等离子体发射具有所要波长的光。举例来说，在LPP源中，目标材料由激发源(例如脉冲激光光束)辐照以产生等离子体。

在一种布置中，目标材料可涂覆于圆筒的表面上。在脉冲辐照位于辐照位点处的小目标材料区域之后，正旋转及/或正轴向平移的圆筒向辐照位点呈现新目标材料区域。每一辐照脉冲在目标材料层中产生凹坑。这些凹坑可利用补充系统而重新填充以提供理论上可无限地向辐照位点呈现目标材料的目标材料递送系统。通常，激光被聚焦到直径小于约100μm的焦点。期望以相对高准确性将目标材料递送到焦点以维持稳定光源位置。

在一些应用中，氙(例如，呈形成于圆筒的表面上的氙冰层的形式)在用作目标材料时可提供某些优点。举例来说，由1μm驱动激光器辐照的氙目标材料可用于产生尤其适于在计量工具或掩模/表膜检查工具中使用的相对明亮EUV光源。氙是相对昂贵的。出于此原因，期望减少所使用的氙量，且特定来说期望减少倾倒到真空室中的氙量，例如因蒸发而损失的氙或者为产生均匀目标材料层而从圆筒刮掉的氙。此过量氙吸收EUV光且减弱到系统的所递送亮度。