[发明专利]具有基础层及附着于其上的窗的抛光垫

说明书

本发明描述具有基础层及附着于该基础层上的窗的抛光垫，及制造该抛光垫的方法。在一实例中，用于抛光基板的抛光垫包括具有第一模量的基础层。抛光层附着于该基础层上且具有低于该第一模量的第二模量。第一开口穿过该抛光层且第二开口穿过该基础层。该第一开口暴露该第二开口的至少一部分且暴露该基础层的一部分。窗安置于该第一开口中且附着于该基础层的暴露部分。

【技术领域】

本发明的实施方式在化学机械抛光(CMP)的领域内，且特定言之，具有基础层及附着于基础层上的窗的抛光垫，及制造该抛光垫的方法。

【背景技术】

化学机械平坦化或化学机械抛光(通常简称为CMP)为半导体制造中用于平坦化半导体晶圆或其他基板的技术。

本方法使用研磨剂及腐蚀性化学浆料(通常为胶体)，结合抛光垫及直径通常大于晶圆的保持环。抛光垫及晶圆藉由动态抛光头按压在一起且藉由塑料保持环定位固持。动态抛光头在抛光期间旋转。此方法有助于材料的移除且往往会校平任何不规则构形，使得晶圆平整或平坦。此可为必需的，以便安装晶圆以用于额外电路元件的形成。例如，此可能为必需的，以便将整个表面引入光微影(光刻)系统的景深内，或基于材料的位置选择性移除材料。典型景深要求因最新低于50纳米技术节点而降至埃等级。

材料移除的方法并非简单地研磨刮擦，如砂纸对于木材。浆料中的化学物质亦与待移除的材料反应及/或使其弱化。研磨剂加快此弱化制程，且抛光垫有助于自表面擦拭经反应的材料。除浆料技术中的发展之外，抛光垫亦在日益复杂的CMP操作中发挥重要作用。

然而，在CMP垫技术的演进中需要额外改良。

【发明内容】

本发明的实施方式包括具有基础层及附着于基础层上的窗的抛光垫，及制造该抛光垫的方法。

在一实施方式中，用于抛光基板的抛光垫包括具有第一模量(modulus)的基础层。抛光层附着于基础层上且具有低于第一模量的第二模量。第一开口穿过抛光层且第二开口穿过基础层。第一开口暴露第二开口的至少一部分且暴露基础层的一部分。窗安置于第一开口中且附着于基础层的暴露部分。

在另一实施方式中，制造用于抛光基板的抛光垫的方法包括形成穿过抛光层的第一开口。抛光层具有抛光面及背面且具有模量。该方法进一步包括将基础层附着于抛光层的背面。基础层具有高于抛光层模量的模量。该方法进一步包括在将基础层附着于抛光层背面之后，形成穿过基础层的第二开口。第一开口暴露第二开口的至少一部分且暴露基础层的一部分。该方法进一步包括将窗插入第一开口且将窗附着于基础层的暴露部分。

在另一实施方式中，制造用于抛光基板的抛光垫的方法包括形成穿过抛光层的第一开口。抛光层具有抛光面及背面且具有模量。该方法亦包括形成穿过基础层的第二开口。基础层具有抛光面及背面且具有高于抛光层模量的模量。该方法亦包括将窗附着于基础层的抛光面。窗覆盖第二开口的至少一部分。该方法亦包括在将窗附着于基础层的抛光面之后，将抛光层附着于基础层。穿过抛光层形成的第一开口包围窗。

【附图说明】

图1A绘示根据本发明的一实施方式，沿着图1B的A-A'轴线截取的抛光垫的横截面视图，抛光垫具有容纳于抛光层内的开口内且藉由粘接层附着于下方基础层的窗。图1B绘示根据本发明的一实施方式的图1A的抛光垫的平面视图。

图2A至图2I绘示代表根据本发明的一实施方式的制造用于抛光基板的抛光垫的方法中不同操作的横截面视图。

图3绘示根据本发明的一实施方式的抛光垫的横截面视图，抛光垫具有容纳于抛光层内的开口内且利用焊接区域附着于下方基础层的窗。

图4绘示根据本发明的一实施方式的抛光垫的横截面视图，抛光垫具有容纳于抛光层内的开口内且利用搭扣配合配置附着于下方基础层的窗。