[发明专利]磁场传感器以及具备其的磁场检测装置有效
申请号: | 201680067969.8 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN108291947B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 浅妻裕己;田边圭;海野晶裕;松田笃史;高桥将司 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;沈娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁场 传感器 以及 具备 检测 装置 | ||
1.一种磁传感器,其特征在于:
具备:
传感器芯片,具有形成了第1磁检测元件的元件形成面;
第1磁性体,被配置于所述元件形成面上,并且以所述元件形成面为基准的高度具有第1高度;以及
第2磁性体,从所述第1磁检测元件来看,被设置于与所述第1磁性体相反侧,并且具有低于所述第1高度的第2高度,
所述第2磁性体被配置于所述元件形成面上。
2.如权利要求1所述的磁传感器,其特征在于:
在所述传感器芯片的所述元件形成面上进一步形成有第2磁检测元件,
所述第1磁性体被配置于所述第1磁检测元件与所述第2磁检测元件之间。
3.如权利要求2所述的磁传感器,其特征在于:
在将所述第1磁检测元件以及第2磁检测元件的排列方向设定为宽度方向,并且将与所述元件形成面平行且与所述宽度方向垂直的方向设定为长度方向的情况下,所述第1磁性体以及第2磁性体在所述长度方向上的尺寸大于在所述宽度方向上的尺寸。
4.如权利要求3所述的磁传感器,其特征在于:
所述第1磁性体以及第2磁性体中的至少一者在所述长度方向上的尺寸大于所述传感器芯片在所述长度方向上的尺寸。
5.如权利要求3所述的磁传感器,其特征在于:
所述第1磁性体以及第2磁性体在所述长度方向上的尺寸互相不同。
6.如权利要求3所述的磁传感器,其特征在于:
所述第1磁性体以及第2磁性体在所述宽度方向上的尺寸互相不同。
7.如权利要求3所述的磁传感器,其特征在于:
所述第2磁性体在所述长度方向上被分割成多个。
8.如权利要求3所述的磁传感器,其特征在于:
所述第1磁检测元件与所述第2磁性体在所述宽度方向上的距离大于所述第1磁检测元件与所述第1磁性体在所述宽度方向上的距离。
9.如权利要求3所述的磁传感器,其特征在于:
所述第1磁检测元件与所述第1磁性体在所述宽度方向上的距离和所述第1磁检测元件与所述第2磁性体在所述宽度方向上的距离互相相等。
10.如权利要求3所述的磁传感器,其特征在于:
检测相对于所述磁传感器芯片相对性地在所述宽度方向上进行移动的磁介质的残留磁场。
11.如权利要求2所述的磁传感器,其特征在于:
进一步具备第3磁性体,从所述第2磁检测元件来看,所述第3磁性体被设置于与所述第1磁性体相反侧,并且所述第3磁性体具有低于所述第1高度的第3高度。
12.如权利要求1~11中任意一项所述的磁传感器,其特征在于:
进一步具备保护构件,该保护构件充满所述第1磁性体与所述第2磁性体之间的空间,并且是封闭所述第1磁性体以及第2磁性体的保护构件,所述保护构件的导磁率低于所述第1以及第2磁性体的导磁率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680067969.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:神经成像头戴设备
- 下一篇:磁检测装置及其制造方法