[发明专利]将铝引入在氟化物介质中制备的高二氧化硅沸石中的方法

权利要求书

1.生产高二氧化硅目标沸石的方法，该目标沸石具有所需骨架结构和至少约30的二氧化硅与氧化铝之比(SAR)，该方法包括将具有所需骨架结构的沸石的准硅质晶种添加到含有氟化物的凝胶中，该凝胶包含结构导向剂(SDA)、氧化铝源和二氧化硅源，其中该氧化铝源是具有不同于该目标沸石的骨架的第二沸石，和该氧化铝源引入到该高二氧化硅目标沸石的骨架中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该准硅质晶种包含Si、Ge、Al或其两种或更多种的组合。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该准硅质晶种包含比率为2:1或更大的硅和锗。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该准硅质晶种包含选自AEI、AFX、*BEA、CHA、IFY、ITW、LTA、STT和RTH的骨架。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该准硅质晶种包含结构导向剂。

6.根据权利要求1所述的方法，其中第二沸石包含低或中等SAR。

7.根据权利要求6所述的方法，其中第二沸石包含选自GME、FAU、MOR和LTA的骨架。

8.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的方法，其中第二沸石已经用碱金属离子、铵离子、烷基铵离子或氢离子，优选铵离子进行离子交换。

9.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的方法，其中该铝源的量≤该凝胶中二氧化硅总量的25重量％。

10.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的方法，其中该高二氧化硅目标沸石具有约≥20的二氧化硅与氧化铝之比(SAR)。

11.控制高二氧化硅沸石中的Si/Al比的方法，该方法包括将具有所需骨架结构的沸石的准硅质晶种添加到含有氟化物的凝胶中，该凝胶包含结构导向剂(SDA)、氧化铝源和二氧化硅源，其中该氧化铝源是具有不同于该目标沸石的骨架的第二铝硅酸盐沸石，和该氧化铝源引入到该高二氧化硅目标沸石的骨架中，和其中与添加较大量的第二铝硅酸盐沸石相比，添加较少量的第二铝硅酸盐沸石产生具有更高Si/Al比(SAR)的高二氧化硅沸石。

12.组合物，其包含高二氧化硅沸石，该高二氧化硅沸石具有约80-约500的二氧化硅与氧化铝之比(SAR)，和选自IFY、ITW和RTH的骨架结构。

13.包含高二氧化硅沸石的组合物，该高二氧化硅沸石具有SST骨架，和约120-约1000的二氧化硅与氧化铝之比(SAR)。

14.包含铝硅酸盐沸石的组合物，该铝硅酸盐沸石具有LTA骨架，和约25-约45的二氧化硅与氧化铝之比(SAR)。

15.在气体中减少NO_x化合物，储存NOx化合物，和/或氧化NH₃的方法，该方法包括将该气体与根据权利要求12、13或14所述的包含沸石的催化剂组合物接触足够的时间，以在该气体中储存NOx化合物，降低NO_x化合物的水平，和/或氧化NH₃。