[发明专利]多孔硅组合物和装置以及其方法

说明书

如本文所述的多孔硅组合物、多孔合金组合物、或含金属陶瓷的多孔硅组合物。如本文所述一种制造如下物质的方法：多孔硅组合物、多孔合金组合物、或含金属陶瓷的多孔硅组合物。如本文所述，还公开了电极、包含电极以及至少一种所公开组合物的能量储存装置。

优先权声明

本申请依据35U.S.C.§119要求于2015年11月25日提交的系列号为62/259,877的美国临时申请的优先权权益，本文以该申请的内容为基础并将其通过引用全文纳入本文。

相关申请的交叉引用

本申请涉及以下共同拥有和转让的专利申请，但并不要求享受它们的优先权：

2015年6月26日提交的标题为“通过金属热还原获得的金属表面(METALLICSURFACES BY METALLOTHERMAL REDUCTION)”的专利申请USSN 14/751202；

2014年11月25日提交的标题为“用于锂离子电池阳极的方法和材料(METHOD ANDMATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY ANODES)”的临时专利申请USSN 62/084,084；

2014年4月9日提交的标题为“用于锂离子电池阳极的方法和材料(METHOD ANDMATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY ANODES)”的临时专利申请USSN 61/977451；

2013年2月13日提交的标题为“晶体到晶体的氧提取(CRYSTAL TO CRYSTALOXYGEN EXTRACTION)”的专利申请USSN 13/765800；

2012年12月4日提交的专利申请USSN 13/693453，2013年6月13日公开的美国申请公开第2013/0149549号，其标题为“通过金属热还原形成的金属结构(METALLICSTRUCTURES BY METALLOTHERMAL REDUCTION)”；以及

2011年05月04日提交的专利申请USSN 13/100593，2013年4月9日授权的美国专利第8415555号，其标题为“二维二氧化硅基多孔硅结构及其制造方法(DIMENSIONAL SILICA-BASED POROUS SILICON STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATION)”。

本文中提及的每种公开物或专利文件的完整公开内容通过引用纳入本文。

背景

本公开涉及含有多孔硅的组合物，包括该组合物的制品和装置及，并且涉及制备和使用含多孔硅的组合物的方法。

发明内容

在一些实施方式中，本公开提供了稳定的多孔硅组合物(SPS)(“I型”组合物)、以及用于制备稳定的多孔硅组合物的方法。

在一些实施方式中，本公开提供了合金稳定多孔组合物(ASPS)(“II型”组合物)、以及用于制备合金稳定多孔组合物的方法。

在一些实施方式中，本公开提供了含金属陶瓷的多孔硅组合物(稳定的多孔金属陶瓷；SP金属陶瓷；SPC)(“III型”组合物)、以及用于制备含多孔硅金属陶瓷(cermet)组合物的方法。

在一些实施方式中，本公开提供了例如包含所公开组合物组合的组合物，其包括例如：

II’型(即，“双主要组分”)组合物，其通过I型和II型组合物或组分的组合制备，II’型组合物是硅和金属硅化物的合金；

IV型组合物，其通过II型和III型组合物或组分的组合制备，IV型组合物是金属硅化物、硅和金属陶瓷的合金；以及