[发明专利]用于在逻辑上去除非易失性存储器存储设备中的缺陷页的方法和装置

权利要求书

1.一种用于在逻辑上停用非易失性存储器(“NVM”)页的方法，包括：

执行写入操作以向第一NVM块中的第一NVM页写入信息；

在所述写入操作完成之后，检查所述第一NVM页的操作状态；

如果所述操作状态未能满足用于正常写入操作的预定义条件，则将所述第一NVM页标识为缺陷页；

标记第一页状态表的位置以将所述第一NVM页指示为有缺陷的；以及

将包含与所述第一NVM页相关联的页缺陷信息的所述第一页状态表存储在所述第一NVM块中的预定义页处。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

从主机向存储器控制器发送用于持久地存储数据的数据存储指令；以及

由所述存储器控制器生成具有逻辑块地址(“LBA”)的所述写入操作，以向NVM设备写入数据。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：由闪存转换层(“FTL”)将所述LBA转换为索引到所述第一NVM块中的所述第一NVM页的物理页地址(“PPA”)。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：根据与所述页状态表中的所述第一NVM页相关联的页缺陷信息，来标识所述第一NVM页是否是有缺陷的。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：当所述第一NVM块被设置为被擦除时，保留所述页状态表中的数据完整性。

6.根据权利要求1所述的方法，其中执行写入操作包括：根据逻辑块地址(“LBA”)来标识所述第一NVM块的位置，并且向所述第一NVM块中的基于闪存的NVM页写入数据。

7.根据权利要求1所述的方法，其中检查所述第一NVM页的操作状态包括：标识由纠错码(“ECC”)在所述写入操作期间报告的错误的数目。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一NVM页标识为缺陷页包括：检测到与预定义编程时间相比更长的编程时间以完成所述写入操作。

9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一NVM页标识为缺陷页包括：在所述操作状态中记录的错误的数目大于针对正常写入操作所允许的错误的预定义最大数目。

10.根据权利要求1所述的方法，其中标记第一页状态表的位置以将所述第一NVM页指示为有缺陷的包括：在表示所述第一NVM块中的所有页的位图中标识与所述第一NVM页相关联的第一位位置；以及在所述第一位位置中设置逻辑值以指示有缺陷的第一NVM页。

11.根据权利要求1所述的方法，其中存储所述第一页状态表包括：将所述第一页状态表保存在所述第一NVM块中的预定义页中。

12.一种用于在逻辑上停用非易失性存储器(“NVM”)页的方法，包括：

执行读取操作以从第一NVM块中的第一NVM页读取信息；

在所述读取操作完成之后，确定所述第一NVM页的读取操作状态；

如果所述读取操作状态未能满足用于读取操作的预定义最小条件，则将所述第一NVM页标识为缺陷页；

标记第一页状态表的位置以将所述第一NVM页指示为有缺陷的；以及

将包含与所述第一NVM页相关联的页缺陷信息的所述第一页状态表存储在所述第一NVM块中的预定义页处。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

从主机向存储器控制器发送用于从存储设备获取数据的读取数据指令；以及

由所述存储器控制器生成具有逻辑块地址(“LBA”)的所述读取操作以用于从NVM设备读取数据。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：由闪存转换层(“FTL”)将所述LBA转换为索引到所述第一NVM块中的所述第一NVM页的物理页地址(“PPA”)。